[發明專利]有機電致發光元件以及制造有機電致發光元件的方法在審
| 申請號: | 202011340127.X | 申請日: | 2017-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN112467045A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 市川朋芳 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H05B33/10;H05B33/12;H05B33/14 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 吳孟秋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 元件 以及 制造 方法 | ||
1.一種有機電致發光元件,包括:
凹陷結構,其中,第一電極設置在底部,且第一元件用作側壁;
第二電極,被配置為覆蓋所述凹陷結構的整個表面;以及
有機發光層,包含蒸發材料并夾在所述第二電極和所述凹陷結構之間,其中,
在所述有機發光層中,含有泄露材料的層的膜厚在所述凹陷結構的底部是不均勻的,并且所述有機發光層的整個膜厚在凹陷結構的底部是大致均勻的。
2.根據權利要求1所述的有機電致發光元件,其中,
所述含有泄露材料的層在凹陷結構的底部的周邊部分處斷開。
3.根據權利要求1所述的有機電致發光元件,其中,
所述含有泄露材料的層在凹陷結構的底部的周邊部分和中心部分具有不同的膜厚。
4.根據權利要求3所述的有機電致發光元件,其中,
所述含有泄露材料的層的膜厚在周邊部分比在凹陷結構的底部的中心部分處的膜厚更薄。
5.根據權利要求4所述的有機電致發光元件,其中,
在假設在中心部分處的含有泄露材料的層的膜厚為La1、在周邊部分處的含有泄露材料的層的膜厚為La2,并且
假設在中心部分處的有機發光層的整個膜厚為Lb1,并且在周邊部分處的有機發光層的整個膜厚為Lb2的情況下,
所述有機發光層滿足(La2/La1)(Lb2/Lb1)的關系。
6.根據權利要求1所述的有機電致發光元件,其中,
所述含有泄露材料的層包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個。
7.根據權利要求1所述的有機電致發光元件,其中,
所述有機發光層包括層疊的多個發光層,電荷產生層插入在所述多個發光層中,并且
所述含有泄露材料的層至少包括所述電荷產生層。
8.根據權利要求1所述的有機電致發光元件,其中,
所述第一電極設置在凹陷結構的底部的中心部分處,并且與凹陷結構的側壁隔開。
9.根據權利要求1所述的有機電致發光元件,其中,
所述第一電極設置在凹陷結構的底部的整個表面上。
10.根據權利要求1所述的有機電致發光元件,還包括:
第二元件,設置在第二電極上并填充凹陷結構,其中,
包括在凹陷結構的側壁中的第一元件的折射率低于第二元件的折射率。
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H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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