[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板及裝置

在審

• 申請號: 202011339928.4
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112366210A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 袁永
• 申請（專利權）人: 廈門天馬微電子有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

位于所述襯底基板一側的像素電路，所述像素電路包括第一晶體管和第二晶體管，所述第一晶體管包括第一有源層，所述第二晶體管包括第二有源層，所述第一有源層和所述第二有源層均包括硅；

所述陣列基板還包括位于所述第一有源層遠離所述襯底基板一側的第一類無機層和第二類無機層，所述第一類無機層位于靠近所述第一有源層的一側，所述第二類無機層位于遠離所述第一有源層的一側；

所述陣列基板還包括第一過孔，所述第一過孔至少貫穿所述第二類無機層，所述第一有源層在所述襯底基板所在平面上的垂直投影覆蓋所述第一過孔靠近所述第一有源層的一端在所述襯底基板所在平面上的垂直投影；

所述第一有源層中的氫離子濃度小于所述第二有源層中的氫離子濃度。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一晶體管還包括第一源極和第一漏極，所述第一源極和所述第一漏極分別經過第二過孔與所述第一有源層電連接；

在垂直所述襯底基板的方向上，所述第一過孔遠離所述襯底基板的一端相比于所述第二過孔遠離所述襯底基板的一端更靠近所述襯底基板。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一晶體管為驅動晶體管，所述第二晶體管為開關晶體管。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔貫穿所述第二類無機層。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一過孔貫穿所述第一類無機層和所述第二類無機層。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電路還包括第三晶體管，所述第三晶體管包括第三有源層，所述第三有源層包括氧化物半導體，且所述第三有源層位于所述第一有源層遠離所述襯底基板的一側；

所述第一類無機層和所述第二類無機層位于所述第一有源層所在膜層和所述第三有源層所在膜層之間。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電路還包括電容，所述電容包括對向設置的第一電容基板和第二電容基板；

所述第一晶體管還包括位于所述第一有源層遠離所述襯底基板一側的第一柵極，所述第一電容基板與所述第一柵極同層設置，所述第二電容基板位于所述第一電容基板遠離所述襯底基板的一側；

所述陣列基板還包括位于所述第一有源層與所述第一柵極之間的第一絕緣層、位于所述第一柵極與所述第二電容基板之間的第二絕緣層、位于所述第二電容基板和所述第三有源層之間的第三絕緣層；

所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述第三絕緣層中的至少一層為氮化硅層，所述第一過孔貫穿所述氮化硅層。

8.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括位于所述第二類無機層遠離所述襯底基板一側的第三類無機層，所述第三類無機層包括多層第三無機層，靠近所述第二類無機層一側的所述第三無機層覆蓋所述第二類無機層且填充所述第一過孔。