[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板及裝置在審
| 申請號: | 202011339928.4 | 申請日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN112366210A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發明(設計)人: | 袁永 | 申請(專利權)人: | 廈門天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 361101 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 裝置 | ||
本發明公開了陣列基板及其制備方法、顯示面板及裝置,陣列基板包括像素電路,像素電路包括第一晶體管和第二晶體管,第一晶體管包括第一有源層,第二晶體管包括第二有源層,第一有源層和第二有源層均包括硅;陣列基板還包括第一類無機層、第二類無機層和第一過孔,第一過孔位于第一有源層上方且至少貫穿第二類無機層,第一有源層中的氫離子濃度小于第二有源層中的氫離子濃度。通過第一過孔對第一有源層進行高溫制程,如此第一晶有源層中氫離子濃度小于第二有源層中的氫離子濃度,保證第一晶體管性能良好的同時減少第二晶體管的高溫制程次數,保證第二晶體管亞閾值擺幅較小,關斷特性良好,漏流小,保證像素電路整體特性良好。
技術領域
本發明實施例涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及裝置。
背景技術
有機發光顯示是目前手機、電視、電腦等顯示器的主流技術。與傳統的液晶顯示相比,有機發光顯示具有能耗低、成本低、自發光、視角寬及相應速度快等優點。因此,有機發光顯示逐步成為主流顯示技術。
由于有機發光顯示屬于電流驅動,需要穩定的電流來控制其發光,有機發光顯示的驅動電流的大小及穩定性主要依賴于有機發光顯示像素電路中驅動晶體管。因此現有技術中,有機發光顯示的像素電路一般包括驅動晶體管和開關晶體管,并且驅動晶體管和開關晶體管可以為相同類型的晶體管。對于相同類型的驅動晶體管和開關晶體管來過,一般采用相同的工藝制備,具備相同的特性。但是,由于驅動晶體管和開關晶體管的作用不同,因此采用相同工藝制備得到的驅動晶體管和開關晶體管往往不能滿足實際顯示需求。
發明內容
本發明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板及裝置,通過在陣列基板中對應驅動晶體管的位置增設第一過孔,可通過第一過孔僅對第一晶體管的有源層進行高溫制程,在保證第一晶體管特性良好的同時保證第二晶體管關斷特性良好,漏流小,保證像素電路整體特性良好。
第一方面,本發明實施例提供了一種陣列基板,包括:
襯底基板;
位于所述襯底基板一側的像素電路,所述像素電路包括第一晶體管和第二晶體管,所述第一晶體管包括第一有源層,所述第二晶體管包括第二有源層,所述第一有源層和所述第二有源層包括硅;
所述陣列基板還包括位于所述第一有源層遠離所述襯底基板一側的第一類無機層和第二類無機層,所述第一類無機層位于靠近所述第一有源層的一側,所述第二類無機層位于遠離所述第一有源層的一側;
所述陣列基板還包括第一過孔,所述第一過孔至少貫穿所述第二類無機層,所述第一有源層在所述襯底基板所在平面上的垂直投影覆蓋所述第一過孔靠近所述第一有源層的一端在所述襯底基板所在平面上的垂直投影;
所述第一有源層中的氫離子濃度小于所述第二有源層中的氫離子濃度。
第二方面,本發明實施例還提供陣列基板的制備方法,用于制備第一方面提高的陣列基板,所述陣列基板包括像素電路,所述像素電路包括第一晶體管和第二晶體管,所述第一晶體管包括第一有源層,所述第二晶體管包括第二有源層,所述第一有源層和所述第二有源層均包括硅:
所述制備方法包括:
提供襯底基板;
在所述襯底基板一側制備第一有源層和第二有源層;
在所述第一有源層遠離所述襯底基板的一側制備第一類無機層;
通過所述第一類無機層對所述第一有源層進行第一次加熱制程;
在所述第一類無機層遠離所述襯底基板的一側制備第二類無機層;
制備第一過孔,所述第一過孔至少貫穿所述第二類無機層,且所述第一有源層在所述襯底基板所在平面上的垂直投影覆蓋所述第一過孔靠近所述第一有源層的一端在所述襯底基板所在平面上的垂直投影;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





