[發明專利]有機薄膜晶體管器件制備方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202011339789.5
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112420927B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 申麗萍;邢汝博;陳偉偉
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310
• 代理人: 唐維虎;張紅平

本申請實施例提供的有機薄膜晶體管器件制備方法及顯示面板，涉及半導體器件技術領域。通過在掩膜層上形成有機半導體層，再通過移除該掩膜層的方式形成有機半導體溝道層。上述形成有機半導體溝道層的方式相對于光刻形成有機半導體溝道層的方式，因形成過程不會涉及高溫烘烤光刻膠層的工藝步驟，所形成的有機半導體溝道層中載流子的遷移率較高，有機薄膜晶體管器件的電學特性相對穩定。同時，上述形成有機半導體溝道層的方式，有效規避了制程環境因素(光、高溫)對有機半導體溝道層形成的影響，有機半導體溝道層圖形化過程更加簡單，圖形化效果更好。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體而言，涉及一種有機薄膜晶體管器件制備方法及顯示面板。

背景技術

有機薄膜晶體管(Organic Thin Film Transistor，OTFT)與低溫多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶體管相比具有機械性能優異、制程溫度低及所需掩膜板數量少的特點。因此，有機薄膜晶體管可以被應用到顯示基板技術中。

然而，相對于低溫多晶硅薄膜晶體管，有機薄膜晶體管的載流子(空穴或電子)的遷移率較低，電學特性(比如，開啟電壓)相對較差。如何提高有機薄膜晶體管的載流子的遷移率是本領域技術人員急需解決的技術問題。

需要說明的是，公開于該背景技術部分的信息僅僅旨在加深對本申請的總體背景技術的理解，而不應當被視為承認或以任何形式暗示該信息構成已為本領域技術人員所公知的現有技術。

發明內容

為了克服上述技術背景中所提及的技術問題，本申請實施例提供一種有機薄膜晶體管器件制備方法及顯示面板，以提高載流子遷移率。

本申請的第一方面，提供一種有機薄膜晶體管器件制備方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板的一側形成掩膜層，其中，所述掩膜層包括開口區域和非開口區域；

在所述掩膜層上形成有機半導體層；

移除所述掩膜層以去除位于所述非開口區域的有機半導體層，在所述基板上形成有機半導體溝道層。

在該方案中，采用非光刻方式制備有機半導體溝道層，可以避免光刻過程中烘烤光刻膠層時的高溫降低有機半導體溝道層中載流子的遷移率。相比于通過光刻制備有機半導體溝道層的方式，所制備的有機薄膜晶體管器件的電學特性相對更好。同時，上述形成有機半導體溝道層的方式有效規避了制程環境因素(光、高溫)對形成有機半導體溝道層過程的影響，有機半導體溝道層圖形化過程更加簡單，圖形化效果更好。

在本申請的一種可能實施例中，所述基板包括設置在基板一側的源電極及漏電極，所述在所述基板的一側形成掩膜層的步驟，包括：

通過所述掩膜層上的對位標記及位于所述基板上的對位標記，將所述掩膜層與所述基板進行對位；

將所述掩膜層覆蓋在設置有源電極及漏電極的基板一側；其中，所述開口區域在所述基板上的正投影與所述源電極和漏電極部分重合。

在本申請的一種可能實施例中，所述在所述掩膜層上形成有機半導體層的步驟，包括：

采用沉積法或旋涂法在所述掩膜層上方涂覆厚度為40～200nm的有機半導體層。

在本申請的一種可能實施例中，所述移除所述掩膜層以去除位于所述非開口區域的有機半導體層，在所述基板上形成有機半導體溝道層的步驟，包括：

從所述掩膜層的一側或邊角位置相對于遠離所述基板的方向撕扯所述掩膜層，從而將位于所述非開口區域的有機半導體層去除，留下所述開口區域的有機半導體層作為有機半導體溝道層。

在本申請的一種可能實施例中，所述在所述基板的一側形成掩膜層的步驟之前，所述方法還包括：