[發明專利]有機薄膜晶體管器件制備方法及顯示面板

有效

• 申請號: 202011339789.5
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112420927B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 申麗萍;邢汝博;陳偉偉
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/05
• 代理公司: 成都極刻智慧知識產權代理事務所(普通合伙) 51310
• 代理人: 唐維虎;張紅平

1.一種有機薄膜晶體管器件制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底的一側形成柵電極；

在所述襯底及所述柵電極上形成絕緣層；

在所述絕緣層遠離所述襯底的一側形成源電極及漏電極，得到基板；

提供一過程膜；

采用激光刻蝕所述過程膜，在所述過程膜上刻蝕出開口區域及對位標記，從而得到掩膜層，其中，所述過程膜的材質包括PET；

在所述絕緣層遠離所述襯底的一側覆蓋所述掩膜層；

在所述掩膜層上形成有機半導體層；

移除所述掩膜層以去除位于非開口區域上的有機半導體層，在所述基板上形成有機半導體溝道層。

2.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管器件制備方法，其特征在于，所述在所述基板的一側形成掩膜層的步驟，包括：

通過所述掩膜層上的對位標記及位于所述基板上的對位標記，將所述掩膜層與所述基板進行對位；

將所述掩膜層覆蓋在設置有源電極及漏電極的基板一側；其中，所述開口區域在所述基板上的正投影與所述源電極和漏電極部分重合。

3.如權利要求2所述的有機薄膜晶體管器件制備方法，其特征在于，所述在所述掩膜層上形成有機半導體層的步驟，包括：

采用沉積法或旋涂法在所述掩膜層上方形成厚度范圍為40～200nm的有機半導體層。

4.如權利要求3所述的有機薄膜晶體管器件制備方法，其特征在于，所述移除所述掩膜層以去除位于所述非開口區域的有機半導體層，在所述基板上形成有機半導體溝道層的步驟，包括：

從所述掩膜層的一側或邊角位置相對于遠離所述基板的方向撕扯所述掩膜層，從而將位于所述非開口區域的有機半導體層去除，留下所述開口區域對應有機半導體層作為有機半導體溝道層。

5.一種有機薄膜晶體管器件制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底的一側形成源電極及漏電極，得到基板；

提供一過程膜；

采用激光刻蝕所述過程膜，在所述過程膜上刻蝕出開口區域及對位標記，從而得到掩膜層，其中，所述過程膜的材質包括PET；

在所述襯底上覆蓋所述掩膜層；

在所述掩膜層上形成有機半導體層；

移除所述掩膜層以去除位于非開口區域上的有機半導體層，在所述基板上形成有機半導體溝道層；

形成覆蓋所述襯底、源電極、漏電極及有機半導體層的絕緣層；

在所述絕緣層遠離所述襯底一側覆蓋一預先制作的陰影膜層，其中，所述陰影膜層包括非開孔區域和為制備柵電極預留的開孔區域；

在所述陰影膜層上形成柵極金屬層；

移除所述陰影膜層將位于所述非開孔區域的柵極金屬層去除，留下所述開孔區域對應的柵極金屬層作為所述柵電極。

6.一種顯示面板，其特征在于，包括采用權利要求1-5中任意一項所述有機薄膜晶體管器件制備方法制備而成的多個有機薄膜晶體管器件。