[發明專利]一種低相位噪聲電壓控制振蕩器在審
| 申請號： | 202011336553.6 | 申請日： | 2020-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN112290938A | 公開（公告）日： | 2021-01-29 |
| 發明（設計）人： | 魏來 | 申請（專利權）人： | 燦芯半導體（蘇州）有限公司 |
| 主分類號： | H03L7/099 | 分類號： | H03L7/099;H03B1/04;H03B5/08 |
| 代理公司： | 上海灣谷知識產權代理事務所(普通合伙) 31289 | 代理人： | 倪繼祖 |
| 地址： | 215006 江蘇省蘇州市吳中區蘇州工*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 相位 噪聲 電壓 控制 振蕩器 | ||
1.一種低相位噪聲電壓控制振蕩器，接收LPF的輸出電壓，其特征在于，包括：三級延遲單元、第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、電阻和電容，其中，
所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的柵極分別接收LPF的輸出電壓；
所述第一NMOS管和所述第二NMOS管各自的源極分別接地；
所述第一NMOS管的漏極連接所述第一PMOS管的漏極；
所述第二NMOS管的漏極連接所述第三PMOS管的漏極；
所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管和第四PMOS管各自的源極相接；
所述第一PMOS管的柵極連接所述第一PMOS管的漏極；
所述第一PMOS管的柵極通過電阻連接所述第二PMOS管的柵極；
所述第二PMOS管的柵極通過電容連接所述第二PMOS管的源極；
所述第二PMOS管的漏極連接所述第四PMOS管的漏極；
所述第三PMOS管的柵極連接所述第三PMOS管的漏極；
所述第三PMOS管的柵極連接所述第四PMOS管的柵極；
所述第四PMOS管的漏極連接所述三級延遲單元的控制端。
2.根據權利要求1所述的低相位噪聲電壓控制振蕩器，其特征在于，所述三級延遲單元包括：第一級至第三級延遲單元；
所述的第一級至第三級延遲單元串聯，第三級延遲單元的輸出端連接第一級延遲單元的輸入端；
所述第一級至第三級延遲單元各自的控制端連接所述第四PMOS管的漏極。
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