[發明專利]集成式組合件以及形成集成式組合件的方法在審
| 申請號: | 202011336419.6 | 申請日: | 2020-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN112928118A | 公開(公告)日: | 2021-06-08 |
| 發明(設計)人: | G·A·哈勒;W·R·庫伯;Z·D·比曼;C·G·謝伊;金泰賢 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/11524 | 分類號: | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王龍 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成 組合 以及 形成 方法 | ||
本申請案涉及集成組合件,以及形成集成組合件的方法。一些實施例包含一種方法,其中將第一堆疊形成為包含含金屬第一層、所述第一層之上的第二層,以及所述第二層之上的含金屬第三層。將第一開口形成為延伸穿過所述第二和第三層。將犧牲材料形成于所述第一開口內。將第二堆疊形成于所述第一堆疊之上。將第二開口穿過形成所述第二堆疊,且延伸穿過所述犧牲材料。將第一半導體材料形成于所述第二開口內。將第三開口形成穿過所述第二堆疊且到達所述第二層。去除所述第二層以形成導管。將經導電摻雜的第二半導體材料形成于所述導管內。摻雜劑從所述經導電摻雜的第二半導體材料向外擴散到所述第一半導體材料中。一些實施例包含集成組合件。
技術領域
形成集成式組合件(例如,集成存儲器裝置)的方法。集成式組合件。
背景技術
存儲器為電子系統提供數據存儲。快閃存儲器是一種類型存儲器,且大量用于現代計算機和裝置中。舉例來說,現代個人計算機可將BIOS存儲在快閃存儲器芯片上。作為另一實例,越來越常見的是,計算機和其它裝置利用呈固態驅動器的快閃存儲器來替代常規硬盤驅動器。作為又一實例,快閃存儲器在無線電子裝置中普及,這是因為快閃存儲器使得制造商能夠在新的通信協議變得標準化時支持所述新的通信協議,且使得制造商能夠提供針對增強特征遠程升級裝置的能力。
NAND可以是快閃存儲器的基本架構,且可經配置以包括豎直堆疊的存儲器單元。
在具體地描述NAND之前,可能有幫助的是更一般地描述集成式布置內的存儲器陣列的關系。圖1示出包含以下各項的現有技術裝置1000的框圖:存儲器陣列1002,其具有布置成行和列的多個存儲器單元1003;以及存取線1004(例如,用以傳導信號WL0到WLm的字線)和第一數據線1006(例如,用以傳導信號BL0到BLn的位線)。存取線1004和第一數據線1006可用于將信息傳送到存儲器單元1003且從所述存儲器單元傳送信息。行解碼器1007和列解碼器1008解碼地址線1009上的地址信號A0到AX以確定要存取存儲器單元1003中的哪些存儲器單元。感測放大器電路1015操作以確定從存儲器單元1003讀取的信息的值。I/O電路1017在存儲器陣列1002與輸入/輸出(I/O)線1005之間傳送信息值。I/O線1005上的信號DQ0到DQN可表示從存儲器單元1003讀取或待寫入到所述存儲器單元中的信息的值。其它裝置可通過I/O線1005、地址線1009或控制線1020與裝置1000通信。存儲器控制單元1018用于控制將在存儲器單元1003上執行的存儲器操作,并利用控制線1020上的信號。裝置1000可分別在第一供應線1030和第二供應線1032上接收供應電壓信號Vcc和Vss。裝置1000包含選擇電路1040和輸入/輸出(I/O)電路1017。選擇電路1040可經由I/O電路1017對信號CSEL1到CSELn作出響應,以選擇第一數據線1006和第二數據線1013上的可表示待從存儲器單元1003讀取或待編程到所述存儲器單元中的信息的值的信號。列解碼器1008可基于地址線1009上的A0到AX地址信號來選擇性地激活CSEL1到CSELn信號。選擇電路1040可選擇第一數據線1006和第二數據線1013上的信號,以在讀取和編程操作期間,提供存儲器陣列1002與I/O電路1017之間的通信。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





