[發明專利]集成式組合件以及形成集成式組合件的方法

在審

• 申請號: 202011336419.6
• 申請日: 2020-11-25
• 公開（公告）號: CN112928118A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: G·A·哈勒;W·R·庫伯;Z·D·比曼;C·G·謝伊;金泰賢
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種形成集成組合件的方法，其包括：

形成第一堆疊，其包括含金屬第一層、在所述第一層之上的第二層，以及在所述第二層之上的含金屬第三層；所述第二層包括第一犧牲材料；

形成第一開口以延伸穿過所述第一堆疊的所述第二和第三層；

在所述第一開口內形成第二犧牲材料；

在所述第一堆疊之上形成第二堆疊；所述第二堆疊具有交替的第一和第二級；

形成第二開口以穿過所述第二堆疊且到達所述第二犧牲材料；

使所述第二開口延伸穿過所述第二犧牲材料；

在所述經延伸的第二開口內形成第一半導體材料；

形成第三開口以穿過所述第二堆疊，穿過所述第三層，且到達所述第二層的所述第一犧牲材料；

去除所述第二層的所述第一犧牲材料以形成導管；

在所述導管內形成經導電摻雜的第二半導體材料；

使摻雜劑從所述經導電摻雜的第二半導體材料向外擴散到所述第一半導體材料中，所述經向外擴散的摻雜劑向上延伸到所述第一級中的至少一者；以及

在所述第一級內形成導電材料。

2.根據權利要求1所述的方法，其包含沿所述第一級形成存儲器單元，其中所述存儲器單元包括所述第一半導體材料的區；其中所述集成組合件包含包括所述存儲器單元的存儲器裝置；且其中所述第一層、所述第三層和所述經導電摻雜的第二半導體材料一起形成所述存儲器裝置的源極結構的至少一部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包括將源極選擇裝置形成為包括所述第一層級中的所述至少一者。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二犧牲材料包括鎢。

5.根據權利要求4所述的方法，其進一步包括用包括二氧化硅的第一襯層且用包括金屬氮化物的第二襯層為所述第一開口加襯；且其中所述鎢形成為直接抵靠所述第二襯層的所述金屬氮化物。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述金屬氮化物包括氮化鈦。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一和第三層包括相對于彼此不同的成分。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一和第三層包括相同的成分。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述第一和第三層包括WSi，其中化學式指示基本組分而不是特定化學計量。

10.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一犧牲材料包括金屬氮化物。

11.根據權利要求9所述的方法，其中所述第一犧牲材料包括氮化鈦。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括在去除所述第一犧牲材料之前，用保護材料為所述第三開口的側壁表面加襯；且其中所述保護材料基本上由硅組成。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述第三開口延伸到所述第二層中。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述保護材料是沿所述第三層而不是沿所述第二層。