[發(fā)明專利]顯示裝置的制造方法

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• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN113437017A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發(fā)明（設計）人: 徐宗吾;白炅旼;蘇炳洙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 樸英淑

本發(fā)明提供一種顯示裝置的制造方法，包括：準備基板的步驟；在所述基板上形成非晶硅層的步驟；利用氫氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅層的步驟；使所述非晶硅層結晶化為多晶硅層的步驟；以及在所述多晶硅層上直接形成金屬層的步驟。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示裝置的制造方法，更詳細而言涉及提高了產品的可靠性的顯示裝置的制造方法。

背景技術

通常，如有機發(fā)光顯示裝置這樣的顯示裝置具備用于驅動各像素的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括由多晶硅形成的活性層。

為了利用多晶硅薄膜形成用于薄膜晶體管中的活性層，具有在基板上沉積非晶硅之后使其結晶化的方法、或者直接沉積多晶硅的方法。

但是，由于在將非晶硅結晶化為多晶硅的過程中形成的多個突起，薄膜晶體管的散布會增加，存在會識別出殘像等問題。

發(fā)明內容

本發(fā)明用于解決如上所述的問題在內的各種問題，目的在于，減少薄膜晶體管的散布并防止識別出殘像的情況，同時提供提高了可靠性的顯示裝置的制造方法。但是，這些課題是例示，并不由此來限定本發(fā)明的范圍。

根據本發(fā)明的一觀點，提供一種顯示裝置的制造方法，包括：準備基板的步驟；在所述基板上形成非晶硅層的步驟；利用氫氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅層的步驟；使清洗過的所述非晶硅層結晶化為多晶硅層的步驟；以及在所述多晶硅層上直接形成金屬層的步驟。

在本實施例中，可以是，所述金屬層包括鋁和銅之中的至少一種。

在本實施例中，可以是，所述金屬層以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅層上。

在本實施例中，可以是，在結晶化為所述多晶硅層的步驟中，向所述基板的各區(qū)域上分別以彼此不同的能量密度照射激光束來進行結晶化。

在本實施例中，可以是，所述激光束的能量密度是300mJ/cm²至500mJ/cm²。

在本實施例中，可以是，所述多晶硅層在表面包括3nm以下的突起。

在本實施例中，可以是，在利用氫氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅層的步驟之后，還包括利用添加有氫的去離子水對清洗過的所述非晶硅層進行清洗的步驟。

在本實施例中，可以是，所述金屬層包括鋁和銅之中的至少一種。

在本實施例中，可以是，還包括向所述金屬層上照射光的步驟。

在本實施例中，可以是，利用氫氟酸清洗所述非晶硅層的步驟是將所述氫氟酸噴射到所述非晶硅層上，從而去除在所述非晶硅層的表面形成的氧化膜的步驟。

在本實施例中，可以是，所述氫氟酸包括約0.5％的氟化氫(hydrogen fluoride)。

在本實施例中，可以是，在準備所述基板的步驟與在所述基板上形成所述非晶硅層的步驟之間，還包括在所述基板上形成緩沖層的步驟。

根據本發(fā)明的其他觀點，提供一種顯示裝置的制造方法，包括：準備定義有第一區(qū)域和第二區(qū)域的基板的步驟；在所述基板上形成非晶硅層的步驟；利用氫氟酸(hydrofluoric acid)清洗所述非晶硅層的步驟；向所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上分別以彼此不同的能量密度照射激光束來使清洗過的所述非晶硅層結晶化為多晶硅層的步驟；以及在所述多晶硅層上直接形成金屬層的步驟。

在本實施例中，可以是，所述金屬層包括鋁和銅之中的至少一種。

在本實施例中，可以是，所述金屬層以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅層上。

在本實施例中，可以是，所述多晶硅層在表面包括3nm以下的突起。