[發明專利]顯示裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202011332769.5
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN113437017A
• 公開（公告）日: 2021-09-24
• 發明（設計）人: 徐宗吾;白炅旼;蘇炳洙
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 北京金宏來專利代理事務所(特殊普通合伙) 11641
• 代理人: 樸英淑

1.一種顯示裝置的制造方法，包括：

準備基板的步驟；

在所述基板上形成非晶硅層的步驟；

利用氫氟酸清洗所述非晶硅層的步驟；

使清洗過的所述非晶硅層結晶化為多晶硅層的步驟；以及

在所述多晶硅層上直接形成金屬層的步驟。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述金屬層包括鋁和銅之中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述金屬層以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅層上。

4.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

在結晶化為所述多晶硅層的步驟中，向所述基板的各區域上分別以彼此不同的能量密度照射激光束來進行結晶化。

5.根據權利要求4所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述激光束的能量密度是300mJ/cm²至500mJ/cm²。

6.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述多晶硅層在表面包括3nm以下的突起。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

在利用氫氟酸清洗所述非晶硅層的步驟之后，還包括利用添加有氫的去離子水對清洗過的所述非晶硅層進行清洗的步驟。

8.根據權利要求7所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述金屬層包括鋁和銅之中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，還包括：

向所述金屬層上照射光的步驟。

10.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

利用氫氟酸清洗所述非晶硅層的步驟是將所述氫氟酸噴射到所述非晶硅層上，從而去除在所述非晶硅層的表面形成的氧化膜的步驟。

11.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述氫氟酸包括0.5％的氟化氫。

12.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

在準備所述基板的步驟與在所述基板上形成所述非晶硅層的步驟之間，還包括在所述基板上形成緩沖層的步驟。

13.一種顯示裝置的制造方法，包括：

準備定義有第一區域和第二區域的基板的步驟；

在所述基板上形成非晶硅層的步驟；

利用氫氟酸清洗所述非晶硅層的步驟；

向所述第一區域和所述第二區域上分別以彼此不同的能量密度照射激光束來使清洗過的所述非晶硅層結晶化為多晶硅層的步驟；以及

在所述多晶硅層上直接形成金屬層的步驟。

14.根據權利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述金屬層包括鋁和銅之中的至少一種。

15.根據權利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述金屬層以100埃至700埃的厚度形成在所述多晶硅層上。

16.根據權利要求13所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述多晶硅層在表面包括3nm以下的突起。

17.根據權利要求13所述的顯示裝置的制造方法，還包括：

向所述金屬層上照射光的步驟。