[發(fā)明專利]一種氣體傳輸管路升溫方法、半導(dǎo)體工藝設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011332301.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112593216B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳志敏;董曼飛;馮金瑞 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/52 | 分類號(hào): | C23C16/52;C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 氣體 傳輸 管路 升溫 方法 半導(dǎo)體 工藝設(shè)備 | ||
本申請(qǐng)實(shí)施例提供了氣體傳輸管路升溫方法、半導(dǎo)體工藝設(shè)備,該方法包括:基于每一個(gè)氣體傳輸管路的在預(yù)設(shè)時(shí)間段的結(jié)束時(shí)刻的溫度,確定每一個(gè)氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率,其中,在預(yù)設(shè)時(shí)間段,每一個(gè)氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件以相同的預(yù)設(shè)初始輸出功率輸出;對(duì)于每一個(gè)氣體傳輸管路,在預(yù)設(shè)時(shí)間段之后控制氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件的輸出功率為氣體傳輸管路的用于同步升溫的輸出功率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域,具體涉及氣體傳輸管路升溫方法、半導(dǎo)體工藝設(shè)備。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)過(guò)程中的諸如工藝環(huán)節(jié),均需要將相應(yīng)的用于工藝的氣體通過(guò)相應(yīng)的氣體傳輸管路輸入到相應(yīng)的工藝腔室。
在低壓力化學(xué)氣相沉積(LPCVD,Low Pressure Chemical Vapor Deposition)工藝生產(chǎn)過(guò)程中需要通入一些特殊氣體作為工藝氣體,例如二氯硅烷,其常溫下一般為液態(tài),而在進(jìn)行相關(guān)工藝時(shí),需要將液態(tài)的二氯硅烷轉(zhuǎn)化為氣態(tài),通過(guò)與多個(gè)相連通的氣體傳輸管路輸入或輸出工藝腔室,來(lái)完成工藝。因此,在利用氣體傳輸管路傳輸氣體之前,需要使得用于傳輸氣體的每一個(gè)氣體傳輸管路的溫度均達(dá)到目標(biāo)溫度例如40℃,以避免傳輸氣體時(shí)由于傳輸管路溫度過(guò)低導(dǎo)致氣體冷凝。
目前,通常采用的方式為:每一個(gè)氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件均以同一輸出功率對(duì)氣體傳輸管路進(jìn)行加熱。然而,由于諸如加熱元件的安裝位置不同、人員安裝時(shí)包裹氣體傳輸管路的氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)加熱元件的松緊程度不同等因素,會(huì)導(dǎo)致各個(gè)氣體傳輸管路的升溫速度具有差異。
一方面,升溫速度較快的氣體傳輸管路在溫度達(dá)到目標(biāo)溫度之后,需要等待升溫速度較慢的氣體傳輸管路達(dá)到目標(biāo)溫度,每一個(gè)氣體傳輸管路均達(dá)到目標(biāo)溫度,才能開(kāi)始傳輸相應(yīng)的氣體以進(jìn)行相應(yīng)的工藝。等待的時(shí)長(zhǎng)通常較長(zhǎng),導(dǎo)致每一個(gè)氣體傳輸管路的溫度均達(dá)到目標(biāo)溫度可以開(kāi)始傳輸相應(yīng)的氣體所需的時(shí)長(zhǎng)較長(zhǎng)。另一方面,在等待期間,升溫速度較快的氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件依然以用于保持目標(biāo)溫度的輸出功率工作,從而,造成資源的浪費(fèi)。
發(fā)明內(nèi)容
為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問(wèn)題,本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N氣體傳輸管路升溫方法、半導(dǎo)體工藝設(shè)備。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面,提供一種氣體傳輸管路升溫方法,應(yīng)用于半導(dǎo)體工藝設(shè)備,半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括多個(gè)相連通的氣體傳輸管路,多個(gè)氣體傳輸管路共同用于運(yùn)輸工藝氣體,每一個(gè)氣體傳輸管路上均設(shè)置有測(cè)溫元件和加熱元件,包括:
基于每一個(gè)氣體傳輸管路的在預(yù)設(shè)時(shí)間段的結(jié)束時(shí)刻的溫度,確定每一個(gè)氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率,其中,在預(yù)設(shè)時(shí)間段,每一個(gè)氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件以相同的預(yù)設(shè)初始輸出功率輸出;
對(duì)于每一個(gè)氣體傳輸管路,在預(yù)設(shè)時(shí)間段之后控制氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件的輸出功率為氣體傳輸管路的用于同步升溫的輸出功率。
根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面,提供一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備,包括多個(gè)相連通的氣體傳輸管路,多個(gè)氣體傳輸管路共同用于運(yùn)輸工藝氣體,每一個(gè)氣體傳輸管路上均設(shè)置有測(cè)溫元件和加熱元件,半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括:
功率確定單元,被配置為基于每一個(gè)氣體傳輸管路的在預(yù)設(shè)時(shí)間段的結(jié)束時(shí)刻的溫度,確定每一個(gè)氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率,其中,在預(yù)設(shè)時(shí)間段,每一個(gè)氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件以相同的預(yù)設(shè)初始輸出功率輸出;
控制單元,被配置為對(duì)于每一個(gè)氣體傳輸管路,在預(yù)設(shè)時(shí)間段之后控制氣體傳輸管路對(duì)應(yīng)的加熱元件的輸出功率為氣體傳輸管路的用于同步升溫的輸出功率。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的





