[發明專利]一種氣體傳輸管路升溫方法、半導體工藝設備有效
| 申請號: | 202011332301.6 | 申請日: | 2020-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN112593216B | 公開(公告)日: | 2022-09-16 |
| 發明(設計)人: | 陳志敏;董曼飛;馮金瑞 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52;C23C16/455;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氣體 傳輸 管路 升溫 方法 半導體 工藝設備 | ||
1.一種氣體傳輸管路升溫方法,應用于半導體工藝設備,所述半導體工藝設備包括多個相連通的氣體傳輸管路,多個所述氣體傳輸管路共同用于運輸工藝氣體,每一個所述氣體傳輸管路上均設置有測溫元件和加熱元件,其特征在于,所述方法包括:
基于每一個所述氣體傳輸管路的在預設時間段的結束時刻的溫度,確定每一個所述氣體傳輸管路對應的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率,其中,在所述預設時間段,每一個所述氣體傳輸管路對應的加熱元件以相同的預設初始輸出功率輸出;
對于每一個所述氣體傳輸管路,在所述預設時間段之后控制所述氣體傳輸管路對應的加熱元件的輸出功率為所述氣體傳輸管路的用于同步升溫的輸出功率。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述預設初始輸出功率為所述加熱元件的最大功率。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,基于每一個所述氣體傳輸管路的在預設時間段的結束時刻的溫度,確定每一個所述氣體傳輸管路對應的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率包括:
基于目標氣體傳輸管路在所述結束時刻的溫度,計算所述目標氣體傳輸管路在所述預設時間段的升溫速度,以及基于所述目標氣體傳輸管路的相鄰氣體傳輸管路在所述結束時刻的溫度,計算所述相鄰氣體傳輸管路在所述預設時間段的升溫速度;所述目標氣體傳輸管路為在所述結束時刻溫度最低的管路;
計算所述目標氣體傳輸管路在所述預設時間段的升溫速度與所述相鄰氣體傳輸管路在所述預設時間段的升溫速度的升溫速度差值;
基于所述升溫速度差值,確定所述相鄰氣體傳輸管路對應的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率;
基于在帶動所述目標氣體傳輸管路升溫的情況下的所述目標氣體傳輸管路的升溫速度,確定除了所述目標氣體傳輸管路和所述相鄰氣體傳輸管路之外的其他所述氣體傳輸管路對應的加熱元件的輸出功率。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述目標氣體傳輸管路對應的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率為所述預設初始輸出功率,所述相鄰氣體傳輸管路對應的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率大于所述預設初始輸出功率。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述測溫元件包括:主測溫元件和輔助測溫元件,其中,在所述主測溫元件未出現故障的情況下,所述氣體傳輸管路的溫度由所述氣體傳輸管路對應的主測溫元件采集,在所述氣體傳輸管路對應的主測溫元件出現故障的情況下,所述氣體傳輸管路的溫度由所述氣體傳輸管路對應的輔助測溫元件采集。
6.根據權利要求1-5中任一項所述的方法,其特征在于,在每一個所述氣體傳輸管路的溫度均達到目標溫度之后,所述方法還包括:
在多個所述氣體傳輸管路包括故障氣體傳輸管路的情況下,增大所述故障氣體傳輸管路的相鄰氣體傳輸管路對應的加熱元件的輸出功率,以使得所述相鄰氣體傳輸管路對應的加熱元件的輸出功率達到增大后的輸出功率,來升高所述故障氣體傳輸管路的溫度,其中,所述故障氣體傳輸管路為對應的加熱元件出現故障的所述氣體傳輸管路。
7.一種半導體工藝設備,包括多個相連通的氣體傳輸管路,多個所述氣體傳輸管路共同用于運輸工藝氣體,每一個所述氣體傳輸管路上均設置有測溫元件和加熱元件,其特征在于,所述設備包括:
功率確定單元,被配置為基于每一個所述氣體傳輸管路的在預設時間段的結束時刻的溫度,確定每一個所述氣體傳輸管路對應的加熱元件的用于同步升溫的輸出功率,其中,在所述預設時間段,每一個所述氣體傳輸管路對應的加熱元件以相同的預設初始輸出功率輸出;
控制單元,被配置為對于每一個所述氣體傳輸管路,在所述預設時間段之后控制所述氣體傳輸管路對應的加熱元件的輸出功率為所述氣體傳輸管路的用于同步升溫的輸出功率。
8.根據權利要求7所述的設備,其特征在于,所述預設初始輸出功率為所述加熱元件的最大功率。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





