[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011330268.3
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112152086B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊國文;唐松
• 申請（專利權(quán)）人: 度亙激光技術(shù)(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚(yáng)飛

本申請實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體組件，所述半導(dǎo)體器件的制造方法包括：外延生長形成半導(dǎo)體外延片；根據(jù)光刻脊條在所述半導(dǎo)體外延片上刻蝕出第一脊條結(jié)構(gòu)；根據(jù)光刻窗口在所述半導(dǎo)體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)，所述第二脊條結(jié)構(gòu)的脊條寬度小于所述第一脊條結(jié)構(gòu)的脊條寬度，所述第二脊條結(jié)構(gòu)和所述第一脊條結(jié)構(gòu)的材料不同；在所述半導(dǎo)體外延片上依次形成絕緣層和金屬層，所述絕緣層覆蓋除所述第一脊條結(jié)構(gòu)上表面以外的區(qū)域。本申請實(shí)現(xiàn)了提高半導(dǎo)體器件單模輸出光功率，以及單模激射的穩(wěn)定性與可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種半導(dǎo)體器件的制造方法、半導(dǎo)體器件及半導(dǎo)體組件。

背景技術(shù)

對于單模輸出的高功率半導(dǎo)體器件，要實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的基橫模工作，基于脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的發(fā)光條寬必須足夠窄，而窄的發(fā)光條寬又極大的限制了光輸出功率，因此，發(fā)光條寬和單模輸出光功率之間存在著巨大的矛盾，難以獲得具有脊波導(dǎo)的單模輸出的高功率半導(dǎo)體器件。

發(fā)明內(nèi)容

本申請實(shí)施例的目的在于提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，用以實(shí)現(xiàn)提高半導(dǎo)體器件單模輸出光功率，以及半導(dǎo)體器件單模激射的穩(wěn)定性。

本申請實(shí)施例第一方面提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：外延生長形成半導(dǎo)體外延片；根據(jù)光刻脊條在所述半導(dǎo)體外延片上刻蝕出第一脊條結(jié)構(gòu)；根據(jù)光刻窗口在所述半導(dǎo)體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)，所述第二脊條結(jié)構(gòu)的脊條寬度小于所述第一脊條結(jié)構(gòu)的脊條寬度，所述第二脊條結(jié)構(gòu)和所述第一脊條結(jié)構(gòu)的材料不同；在所述半導(dǎo)體外延片上依次形成絕緣層和金屬層，所述絕緣層覆蓋除所述第一脊條結(jié)構(gòu)上表面以外的區(qū)域。

于一實(shí)施例中，所述外延生長形成半導(dǎo)體外延片，包括：在襯底上依次生長第一限制層、量子阱、第二限制層、脊形成層和歐姆接觸層。

于一實(shí)施例中，所述根據(jù)光刻脊條在所述半導(dǎo)體外延片刻蝕出第一脊條結(jié)構(gòu)，包括：在所述歐姆接觸層上涂覆第一光刻膠；通過第一掩膜版對所述第一光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成第一光刻圖案，所述第一光刻圖案包括至少一個(gè)脊形圖案；對所述第一光刻圖案以外的區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成第一脊條結(jié)構(gòu)；去除所述第一光刻圖案。

于一實(shí)施例中，所述第一光刻膠為正光刻膠或負(fù)光刻膠。

于一實(shí)施例中，對所述第一光刻圖案以外的區(qū)域進(jìn)行刻蝕的刻蝕深度小于所述第二限制層、所述脊形成層和所述歐姆接觸層的總厚度。

于一實(shí)施例中，所述根據(jù)光刻窗口在所述半導(dǎo)體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)，包括：在所述歐姆接觸層上涂覆第二光刻膠；通過第二掩膜版對所述第二光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成第二光刻圖案，所述第二光刻圖案包括至少一個(gè)窗口區(qū)域；在所述窗口區(qū)域內(nèi)沉積損耗材料，形成第二脊條結(jié)構(gòu)；去除所述第二光刻圖案。

于一實(shí)施例中，所述第二光刻膠為正光刻膠或負(fù)光刻膠。

于一實(shí)施例中，所述損耗材料為Ti、Ni、Pt、Cu、Au、Ge、多晶硅中的一種或多種。

于一實(shí)施例中，在所述半導(dǎo)體外延片上依次形成絕緣層和金屬層之前，還包括：對所述半導(dǎo)體外延片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，使所述第一脊條結(jié)構(gòu)和所述第二脊條結(jié)構(gòu)的脊條高度相同。

于一實(shí)施例中，所述在所述半導(dǎo)體外延片上依次形成絕緣層和金屬層，包括：在所述半導(dǎo)體外延片上沉積絕緣層；對所述絕緣層進(jìn)行刻蝕，去除所述第一脊條結(jié)構(gòu)上的所述絕緣層，形成電流注入窗口；在所述半導(dǎo)體外延片上形成金屬層。

于一實(shí)施例中，在所述根據(jù)光刻窗口在所述半導(dǎo)體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)之后，還包括：對所述第二脊條結(jié)構(gòu)進(jìn)行離子注入。

于一實(shí)施例中，在所述根據(jù)光刻窗口在所述半導(dǎo)體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)之后，還包括：對所述第一脊條結(jié)構(gòu)和所述第二脊條結(jié)構(gòu)之間的第一區(qū)域進(jìn)行離子注入。