[發(fā)明專利]半導體器件的制造方法、半導體器件及半導體組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011330268.3
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112152086B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊國文;唐松
• 申請（專利權(quán)）人: 度亙激光技術(shù)(蘇州)有限公司
• 主分類號: H01S5/22
• 分類號: H01S5/22
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

外延生長形成半導體外延片，所述外延生長形成半導體外延片，包括：

在襯底上依次生長第一限制層、量子阱、第二限制層、脊形成層和歐姆接觸層；

根據(jù)光刻脊條在所述半導體外延片上刻蝕出第一脊條結(jié)構(gòu)，刻蝕深度小于所述第二限制層、所述脊形成層和所述歐姆接觸層的總厚度；

根據(jù)光刻窗口在所述半導體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)，所述第二脊條結(jié)構(gòu)的脊條寬度小于所述第一脊條結(jié)構(gòu)的脊條寬度，所述第二脊條結(jié)構(gòu)和所述第一脊條結(jié)構(gòu)的材料不同，所述第二脊條結(jié)構(gòu)的材料為Ti、Ni、Pt、Cu、Au、Ge、多晶硅中的一種或多種；

在所述半導體外延片上依次形成絕緣層和金屬層，所述絕緣層覆蓋除所述第一脊條結(jié)構(gòu)上表面以外的區(qū)域；

在所述半導體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)之后，在所述半導體外延片上依次形成絕緣層和金屬層之前，還包括離子注入步驟；

所述離子注入步驟包括：對所述第二脊條結(jié)構(gòu)進行離子注入；或者，對所述第一脊條結(jié)構(gòu)和所述第二脊條結(jié)構(gòu)之間的第一區(qū)域進行離子注入；或者，對所述第一脊條結(jié)構(gòu)和所述第二脊條結(jié)構(gòu)之間的第一區(qū)域和所述第二脊條結(jié)構(gòu)進行離子注入；

在所述半導體外延片上依次形成絕緣層和金屬層之前，還包括：

對所述半導體外延片進行化學機械拋光，使所述第一脊條結(jié)構(gòu)和所述第二脊條結(jié)構(gòu)的脊條高度相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述根據(jù)光刻脊條在所述半導體外延片刻蝕出第一脊條結(jié)構(gòu)，包括：

在所述歐姆接觸層上涂覆第一光刻膠；

通過第一掩膜版對所述第一光刻膠進行曝光顯影，形成第一光刻圖案，所述第一光刻圖案包括至少一個脊形圖案；

對所述第一光刻圖案以外的區(qū)域進行刻蝕，形成第一脊條結(jié)構(gòu)；

去除所述第一光刻圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一光刻膠為正光刻膠或負光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述根據(jù)光刻窗口在所述半導體外延片上沉積出第二脊條結(jié)構(gòu)，包括：

在所述歐姆接觸層上涂覆第二光刻膠；

通過第二掩膜版對所述第二光刻膠進行曝光顯影，形成第二光刻圖案，所述第二光刻圖案包括至少一個窗口區(qū)域；

在所述窗口區(qū)域內(nèi)沉積損耗材料，形成第二脊條結(jié)構(gòu)；

去除所述第二光刻圖案。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二光刻膠為正光刻膠或負光刻膠。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述在所述半導體外延片上依次形成絕緣層和金屬層，包括：

在所述半導體外延片上沉積絕緣層；

對所述絕緣層進行刻蝕，去除所述第一脊條結(jié)構(gòu)上的所述絕緣層，形成電流注入窗口；

在所述半導體外延片上形成金屬層。

7.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件采用如權(quán)利要求1至6中任一項所述的方法制造而成。

8.一種半導體組件，其特征在于，所述半導體組件包括多個如權(quán)利要求7所述的半導體器件。