[發明專利]等離子體處理裝置和電極消耗量測定方法

在審

• 申請號: 202011329429.7
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112992638A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 河村浩司
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種等離子體處理裝置和電極消耗量測定方法，能夠不打開腔室地高精度地測定上部電極的消耗量。等離子體處理裝置(100)具有相向的噴淋頭(16)和載置臺(2)。第一RF電源(10a)對噴淋頭(16)和載置臺(2)中的任一電極以不使等離子體點火的方式施加RF功率。測定器(204)測定與從第一射頻電源(10a)施加的RF功率有關的物理量。工藝過程控制器(91)將測定出的與RF功率有關的物理量用于噴淋頭(16)與載置臺(2)之間的電極間距離同與RF功率有關的物理量的相關函數中，來求出電極間距離。

技術領域

本發明涉及一種等離子體處理裝置和電極消耗量測定方法。

背景技術

以往以來，已知一種使用等離子體來對晶圓等被處理體進行等離子體處理的等離子體處理裝置。在這樣的等離子體處理裝置中，例如在能夠構成真空空間的處理容器內具有用于保持兼作電極的被處理體的載置臺。等離子體處理裝置通過對載置臺施加規定的高頻功率，來對被配置于載置臺的被處理體進行等離子體處理。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-115541號公報

發明內容

發明要解決的問題

提供一種能夠不打開腔室地高精度地測定上部電極的消耗量的技術。

用于解決問題的方案

在公開的等離子體處理裝置和電極消耗量測定方法的一個實施方式中，等離子體處理裝置具有相向的第一電極和第二電極。功率施加部對所述第一電極或所述第二電極中的任一電極以不使等離子體點火的方式施加RF(Radio Frequency：射頻)功率。測定部測定與從所述功率施加部施加的所述RF功率有關的物理量。計算部將測定出的與所述RF功率有關的物理量用于所述第一電極與所述第二電極之間的電極間距離同與所述RF電壓有關的物理量的相關函數中，來求出所述電極間距離。

發明的效果

根據公開的等離子體處理裝置和電極消耗量測定方法的一個方式，起到能夠不打開腔室地高精度地測定上部電極的消耗量這一效果。

附圖說明

圖1是表示等離子體處理裝置的結構的概要截面圖。

圖2是示意性地表示上部電極和下部電極的圖。

圖3是簡略地表示等離子體處理裝置的圖。

圖4是表示使RF被全反射了的情況下的反射波及Vpp與RF功率的關系的圖。

圖5是表示測定用制程的一例的圖。

圖6是用于說明消耗量的計算的概要的圖。

圖7是利用等離子體處理裝置進行的、使用了消耗量測定的等離子體蝕刻處理的流程圖。

圖8是表示獲取基準數據時的上部頂板的配置狀態的圖。

圖9是表示根據基準Vpp求出的相關直線的圖。

圖10是表示獲取消耗時數據時的上部頂板的配置狀態的圖。

圖11是標記了消耗時Vpp的狀態的圖。

圖12是表示使用未使用過的上部頂板，改變狀態來測定消耗量的情況下的測量結果的圖。

圖13是表示使用賦予了2mm的模擬消耗的上部頂板，改變狀態來測量消耗量的情況下的測量結果的圖。