[發明專利]一種確定OPC最小分割長度的方法

有效

• 申請號: 202011325662.8
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112415864B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 牛東華;張辰明;何大權;魏芳
• 申請（專利權）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G03F1/36
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本發明提供一種確定OPC最小分割長度的方法，通過對一系列測試圖形分別設置不同的圖形邊分割長度，并計算測試圖形基于模型的OPC仿真值與晶圓上光阻CD數據的差，然后求出均方根，當均方根出現最小值時所對應圖形分割長度即為測試圖形邊最小分割長度。解決了基于模型的OPC中對目標版圖圖形不能合理分段而導致OPC修正精度不高的問題，提高了產品良率。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別是涉及一種確定OPC最小分割長度的方法。

背景技術

隨著工藝節點的不斷減小，OPC(Optical?Proximity?Correction)已經成為半導體制造過程中提高良率不可缺少的環節。在版圖出版過程中，為了消除光學臨近效應所造成的圖形失真現象，需要對版圖進行OPC修正，進而補償光學臨近效應對圖形造成的影響。目前OPC修正方式主要有兩種：基于規則的OPC和基于模型的OPC。基于模型的OPC修正已廣泛應用于掩膜版出版過程中，并使得硅片上最終得到的圖形與設計版圖盡可能一致。

考慮到圖形尺寸的不斷減小且圖形復雜度逐步在增加，基于模型的OPC修正精度需要越來越高才能更進一步滿足工藝需求，使得原始設計版圖盡可能同樣呈現在硅片上，而不會出現斷開或者連接在一起或者出現Edge?Placement?Error(常見EPE，邊緣修正誤差)等工藝弱點。此時，對目標版圖圖形邊進行合理的切割或分段是不可或缺的一環，這是基于模型的OPC修正過程中一個重要的步驟，不僅如此，對目標版圖圖形邊進行合理的切割或分段對OPC修正精度也會產生極大的影響。理想條件下，如果掩膜版制作能力允許，盡可能減小圖形邊切割長度是最好的，這樣得到的OPC修正精度就足夠滿足更小節點的工藝要求。考慮到掩膜版制作能力的限制，無限制減小分割長度，反而會使得掩膜版偏離原本的OPC修正結果，因此必須限定圖形邊最小分割長度。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種確定OPC最小分割長度的方法，用于解決現有技術中基于模型的OPC中對目標版圖圖形不能合理分段，從而導致OPC修正精度不高的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種確定OPC最小分割長度的方法，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、確定目標層及該目標層所對應的ADI目標值為ADI?target；

步驟二、根據所述ADI目標值獲得基于OPC處理后的測試圖形的長度分段值的取值范圍和寬度或間距分段值的取值范圍；在所述長度分段值的取值范圍內以x步長變化取得m個所述測試圖形的長度分段值；在所述寬度或間距分段值的取值范圍內以y步長變化取得n個所述測試圖形的寬度或間距分段值；

步驟三、將所述m個長度分段值與n個寬度或間距分段值用于形成m*n個所述測試圖形，并對所述m*n個測試圖形進行基于模型的OPC仿真，得到每個測試圖形被分段區域的CD仿真值；

步驟四、根據所述m*n個測試圖形得到測試圖形掩膜版；

步驟五、利用所述測試圖形掩膜版對晶圓進行曝光和顯影，得到m*n個晶圓上的光阻圖形CD值；

步驟六、分別計算所述m*n個測試圖形中每個測試圖形的CD仿真值和與其對應的所述晶圓上的光阻圖形CD值的差；得到m*n個CD差值，根據所述m*n個CD差值計算均方根；所述均方根最小時對應的所述測試圖形的長度分段值為所述測試圖形的最小分割長度。

優選地，步驟一中的所述ADI目標值為圖形線寬。

優選地，步驟一中的所述ADI目標值為圖形間距。

優選地，步驟二中的所述測試圖形的長度分段值的取值范圍為1/2ADI?target～3/4ADI?target；所述測試圖形的寬度分段值的取值范圍為1/4ADI?target～3/2ADItarget。