[發明專利]一種確定OPC最小分割長度的方法有效
| 申請號: | 202011325662.8 | 申請日: | 2020-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN112415864B | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 牛東華;張辰明;何大權;魏芳 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 確定 opc 最小 分割 長度 方法 | ||
1.一種確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于,該方法至少包括以下步驟:
步驟一、確定目標層及該目標層所對應的ADI目標值為ADI?target;所述ADI?目標值為圖形線寬或圖形間距;
步驟二、根據所述ADI?目標值獲得基于OPC處理后的測試圖形的長度分段值的取值范圍和寬度或間距分段值的取值范圍;在所述長度分段值的取值范圍內以x步長變化取得m個所述測試圖形的長度分段值;在所述寬度或間距分段值的取值范圍內以y步長變化取得n個所述測試圖形的寬度或間距分段值;
步驟三、將所述m個長度分段值與n個寬度或間距分段值用于形成m*n個所述測試圖形,并對所述m*n個測試圖形進行基于模型的OPC仿真,得到每個測試圖形被分段區域的CD仿真值;
步驟四、根據所述m*n個測試圖形得到測試圖形掩膜版;
步驟五、利用所述測試圖形掩膜版對晶圓進行曝光和顯影,得到m*n個晶圓上的光阻圖形CD值;
步驟六、分別計算所述m*n個測試圖形中每個測試圖形的CD仿真值和與其對應的所述晶圓上的光阻圖形CD值的差;得到m*n個CD差值,根據所述m*n個CD差值計算均方根;所述均方根最小時對應的所述測試圖形的長度分段值為所述測試圖形的最小分割長度。
2.根據權利要求1所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟二中的所述測試圖形的長度分段值的取值范圍為1/2?ADI?target?~?3/4?ADI?target;所述測試圖形的寬度分段值的取值范圍為1/4?ADI?target?~?3/2?ADI?target。
3.根據權利要求1所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟二中的所述測試圖形的長度分段值的取值范圍為1/2?ADI?target?~?3/4?ADI?target;所述測試圖形的間距分段值的取值范圍為1/4?ADI?target?~?3/2?ADI?target。
4.根據權利要求2所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟三中得到每個測試圖形被分段區域的所述CD仿真值為每個所述測試圖形被分段區域的線寬仿真值。
5.根據權利要求3所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟三中得到每個測試圖形被分段區域的所述CD仿真值為每個所述測試圖形被分段區域的圖形間距仿真值。
6.根據權利要求4所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟五中得到的m*n個晶圓上的光阻圖形CD值為所述m*n個晶圓上的光阻圖形的線寬值。
7.根據權利要求5所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟五中得到的m*n個晶圓上的光阻圖形CD值為所述m*n個晶圓上的光阻圖形的間距值。
8.根據權利要求1所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟一中的所述ADI?目標值ADI?target為81nm。
9.根據權利要求1所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟二中獲得的基于OPC處理后的所述測試圖形的長度分段值的取值范圍為40nm~60nm。
10.根據權利要求9所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟二中獲得的基于OPC處理后的所述測試圖形的寬度分段值的取值范圍為20nm~120nm。
11.根據權利要求10所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟二中獲得的基于OPC處理后的所述測試圖形的間距分段值的取值范圍為20nm~120nm。
12.根據權利要求11所述的確定OPC最小分割長度的方法,其特征在于:步驟二中所述長度分段值的取值范圍內的x步長為2nm。
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