[發(fā)明專利]一種主動開關(guān)的制作方法和顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011325568.2 | 申請日： | 2020-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN112563196A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳陽;李偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240 | 代理人： | 邢濤 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道水田村民*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 主動 開關(guān) 制作方法 顯示 面板 | ||
本申請公開了一種主動開關(guān)的制作方法和顯示面板，所述主動開關(guān)的制作方法包括步驟：在襯底基板上依次形成誘導層、緩沖層和非晶硅層；激光照射所述誘導層、緩沖層和非晶硅層，形成多晶硅層；在所述多晶硅層上依次形成柵極絕緣層、柵極和層間絕緣層；在所述層間絕緣層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別貫穿所述層間絕緣層和柵極絕緣層，分別連接到所述多晶硅層的兩端。本申請通過在制作多晶硅層的過程中，利用誘導層對非晶硅層的誘導作用和激光照射對非晶硅層結(jié)晶的雙重效果，加速了非晶硅層的結(jié)晶速度，提高了結(jié)晶效果，使得在不改變激光器功率的同時使多晶硅層中的晶粒尺寸增大。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種主動開關(guān)的制作方法和顯示面板。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)廣泛應用于電視機、筆記本電腦、顯示器、手機顯示屏等各個方面。TFT-LCD具有電壓低、功耗小、重量輕、厚度薄、適于大規(guī)模集成電路直接驅(qū)動、易于實現(xiàn)全彩色顯示的特性，在平面顯示技術(shù)中占據(jù)了主導地位。TFT-LCD發(fā)展源自于TFT器件和材料的研究開發(fā)。TFT的半導體材料可以是硒化鎘(CdSe)、碲(Te)、非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)等，非晶硅TFT的應用最為普遍，但由于非晶硅的電子遷移率低于1cm2/V.s，制約著TFT-LCD往更高精細度、更輕薄、更省電的方向發(fā)展。而采用工藝溫度低于600℃的低溫多晶硅(Low Temperature p-Si,LTPS)技術(shù)，使TFT的電子遷移率可以達到300cm2/V.s，極大地提高了TFT的性能。LTPS技術(shù)采用的制備方法基本上是先用化學氣相沉積(Chemical Vapour Deposition，CVD)生成a-Si薄膜，然后通過準分子激光晶化法(Excimer Laser Crystallization,ELC)、固體晶化法(Solid Phase Crystalli-zation,SPC)或者連續(xù)波激光橫向結(jié)晶法(CW-Laser LateralCrystallization,CLC)處理a-Si薄膜，再結(jié)晶為p-Si薄膜。
目前，在LTPS技術(shù)中，ELA(準分子激光退火)是目前常用的p-Si薄膜制備方法。ELA工藝中，a-Si薄膜受激光照射后的溫度，中間高兩端低，冷卻過程中，兩端形成結(jié)晶核，向中間結(jié)晶，這樣得到的多晶硅晶粒尺寸偏小；若通過提高對非晶硅的激光照射能量來增加晶粒大小的話，由于襯底基板不耐高溫，因此較高的激光能量會破壞襯底基板的性能。
發(fā)明內(nèi)容
本申請的目的是提供一種主動開關(guān)的制作方法和顯示面板，可以在不影響襯底基板的同時得到晶粒尺寸較大的多晶硅，有利于提高主動開關(guān)的電學特性。
本申請公開了一種主動開關(guān)的制作方法，包括步驟：
在襯底基板上依次形成誘導層、緩沖層和非晶硅層；
激光照射所述誘導層、緩沖層和非晶硅層，形成多晶硅層；
在所述多晶硅層上依次形成柵極絕緣層、柵極和層間絕緣層；以及
在所述層間絕緣層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別貫穿所述層間絕緣層和柵極絕緣層，分別連接到所述多晶硅層的兩端。
可選的，所述誘導層為鋁金屬層，所述緩沖層為鋁金屬氧化物層。
可選的，所述非晶硅層與所述鋁金屬層的厚度之比為3-5:1。
可選的，所述鋁金屬層的厚度在90-110nm之間，所述鋁金屬氧化物層的厚度在30-50nm之間，所述非晶硅層的厚度在270-550nm之間。
可選的，所述照射所述誘導層、緩沖層和非晶硅層，形成多晶硅層的步驟包括：
對所述非晶硅層進行激光照射，使所述非晶硅層中的硅原子擴散到鋁金屬層中并結(jié)晶形成摻雜鋁的多晶硅層，并使所述鋁金屬層中的鋁原子擴散到非晶硅層中形成摻雜硅原子的鋁金屬層；以及
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
