[發明專利]一種主動開關的制作方法和顯示面板

在審

• 申請號: 202011325568.2
• 申請日: 2020-11-24
• 公開（公告）號: CN112563196A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 陳陽;李偉
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) 44240
• 代理人: 邢濤

1.一種主動開關的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在襯底基板上依次形成誘導層、緩沖層和非晶硅層；

激光照射所述誘導層、緩沖層和非晶硅層，形成多晶硅層；

在所述多晶硅層上依次形成柵極絕緣層、柵極和層間絕緣層；以及

在所述層間絕緣層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別貫穿所述層間絕緣層和柵極絕緣層，分別連接到所述多晶硅層的兩端。

2.如權利要求1所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，所述誘導層為鋁金屬層，所述緩沖層為鋁金屬氧化物層。

3.如權利要求2所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，所述非晶硅層與所述鋁金屬層的厚度之比為3-5:1。

4.如權利要求3所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，所述鋁金屬層的厚度在90-110nm之間，所述鋁金屬氧化物層的厚度在30-50nm之間，所述非晶硅層的厚度在270-550nm之間。

5.如權利要求2所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，所述激光照射所述誘導層、緩沖層和非晶硅層，形成多晶硅層的步驟包括：

對所述非晶硅層進行激光照射，使所述非晶硅層中的硅原子擴散到鋁金屬層中并結晶形成摻雜鋁的多晶硅層，并使所述鋁金屬層中的鋁原子擴散到非晶硅層中形成摻雜硅原子的鋁金屬層；以及

蝕刻掉所述摻雜硅原子的鋁金屬層和鋁金屬氧化物層。

6.如權利要求5所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，使用酸性溶液蝕刻所述摻雜硅原子的鋁金屬層和鋁金屬氧化物層。

7.如權利要求1所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，在形成誘導層之前，還在所述襯底基板上形成遮光層。

8.如權利要求1所述的一種主動開關的制作方法，其特征在于，所述激光照射所述誘導層、緩沖層和非晶硅層，形成多晶硅層的步驟包括：

將含有誘導層、緩沖層和非晶硅層的襯底基板放入準分子激光反應室內：

將所述準分子激光反應室的溫度控制在200-300攝氏度，能量密度控制在300mJ/cm²；以及

使用溫度不超過1000攝氏度的激光照射在所述非晶硅層上使其轉化為多晶硅層。

9.一種主動開關的制作方法，其特征在于，包括步驟：

在襯底基板上依次形成遮光層、鋁金屬層、三氧化二鋁層和非晶硅層；

激光誘導所述非晶硅層，使所述非晶硅層中的硅原子擴散到鋁金屬層中并結晶形成摻雜鋁的多晶硅層，并使所述鋁金屬層中的鋁原子擴散到非晶硅層中形成摻雜硅原子的鋁金屬層；

蝕刻掉所述摻雜硅原子的鋁金屬層和三氧化二鋁層；

在所述摻雜鋁的多晶硅層上依次形成柵極絕緣層、柵極和層間絕緣層；以及

在所述層間絕緣層上形成源極和漏極，所述源極和漏極分別貫穿所述層間絕緣層和柵極絕緣層，分別連接到所述摻雜鋁的多晶硅層的兩端。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1至9任意一項所述主動開關的制作方法所制作的主動開關，以及被配置為顯示畫面的像素，所述主動開關控制所述像素打開或關閉。