[發明專利]半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 202011324611.3
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN112838163A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 崔允榮;金昇辰;李炳鉉;樸相在
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L49/02
• 分類號: H01L49/02;H01L27/108
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 楊姍

一種半導體器件可以包括：在襯底上的多個下電極；在相鄰下電極之間并且包括金屬材料的第一電極支撐件；在下電極和第一電極支撐件上以沿第一電極支撐件和每個下電極的輪廓延伸的介電層；以及在介電層上的上電極。

該申請要求享有于2019年11月25日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2019-0151871號韓國專利申請的優先權，其全部公開內容通過全文引用合并于此。

技術領域

本公開涉及一種半導體器件，更具體地，涉及一種包括沿一個方向延伸的導電電極和支撐該導電電極的支撐結構的半導體器件。

背景技術

隨著半導體器件的集成度的提高，更大的電容和更高的集成密度是有益的，從而導致設計規則不斷減少。這種趨勢在動態隨機存取存儲器(DRAM)中很明顯，DRAM是在集成度較高的器件中占用空間較小的一種半導體存儲器件。然而，為了使DRAM器件工作，每個單元中都需要大于一定水平的電容，這可能會受到較小的占用空間的阻礙，因為電容是電容器的電極的表面積的函數。

為此，正在研究在電容器中利用具有高介電常數的介電層和/或增加電容器的下電極與介電層之間的接觸面積，例如提供了一種電容器，其中當下電極的高度增加時，電容器與介電層之間的接觸面積增加，從而增加電容器的電容。

為了防止由于下電極的高度增加而引起的下電極傾斜或塌陷，已經提出了使用能夠支撐下電極的支撐結構。

發明內容

與本發明構思的各種示例實施例有關的方面提供了一種半導體器件，其中支撐下電極的電極支撐件連接到地電壓以改善器件的性能和可靠性。

與本發明構思的各種示例實施例有關的方面還提供了一種制造半導體器件的方法，其中支撐下電極的電極支撐件連接到地電壓以改善器件的性能和可靠性。

根據本發明構思的一些示例實施例，一種半導體器件包括：多個下電極，在襯底上；第一電極支撐件，在相鄰下電極之間并且包括導電材料；介電層，在多個下電極和第一電極支撐件上沿多個第一電極支撐件和每個下電極的輪廓延伸；以及上電極，在介電層上。

根據本發明構思的一些示例實施例，一種半導體器件包括：多個下電極，在襯底上；電極支撐件，在多個下電極中的相鄰下電極之間包括導電材料，該電極支撐件在其上表面上包括支撐暴露區域；介電層，在電極支撐件和下電極上但不在電極支撐件的支撐暴露區域上；上電極，在介電層上；上板電極，在上電極上并且電連接到電極支撐件；以及接地插塞，連接到上板電極。

根據本發明構思的一些示例實施例，一種半導體器件包括：電極支撐件，在襯底上并且限定多個下電極孔；絕緣間隔件，在每個下電極孔的側壁上；多個下電極，在下電極孔中并且通過絕緣間隔件與電極支撐件間隔開；介電層，在下電極和電極支撐件上；以及上電極，在介電層上并且電連接到電極支撐件。然而，本發明構思的示例實施例的各方面不限于本文闡述的方面。通過參考下面給出的本發明構思的示例實施例的詳細描述，對于示例實施例所屬領域的普通技術人員而言，示例實施例的以上和其他方面將變得更加顯而易見。

附圖說明

通過以下結合附圖對實施例的描述，這些和/或其他方面將變得顯而易見并且更容易理解，在附圖中：

圖1和圖2是根據本發明構思的至少一個示例實施例的半導體器件的平面視圖；

圖3和圖4是沿圖2的A-A和B-B截取的截面圖；

圖5是圖4的部分P的放大視圖；

圖6和圖7分別示出了根據本發明構思的至少一個示例實施例的半導體器件；

圖8示出了根據本發明構思的至少一個示例實施例的半導體器件；

圖9至圖11分別示出了根據本發明構思的至少一個示例實施例的半導體器件；