[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011324611.3 | 申請日： | 2020-11-23 |
| 公開（公告）號： | CN112838163A | 公開（公告）日： | 2021-05-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 崔允榮;金昇辰;李炳鉉;樸相在 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L49/02 | 分類號： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 楊姍 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件，包括：
多個下電極，在襯底上；
第一電極支撐件，在所述多個下電極中的相鄰下電極之間，所述第一電極支撐件包括導電材料；
介電層，在所述多個下電極和所述第一電極支撐件上并且沿所述第一電極支撐件和所述多個下電極中的每個下電極的輪廓延伸；以及
上電極，在所述介電層上。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：
絕緣間隔件，在所述第一電極支撐件與所述多個下電極中的每個下電極之間。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述絕緣間隔件包括介電常數大于氧化硅的絕緣材料。
4.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，
所述第一電極支撐件包括彼此面對的第一表面和第二表面，
所述第一電極支撐件的所述第一表面面對所述襯底，并且
從所述第一電極支撐件的所述第二表面到所述絕緣間隔件的底部的距離大于所述第一電極支撐件的厚度。
5.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：
接地插塞，連接到所述上電極，
其中，所述第一電極支撐件電連接到所述接地插塞。
6.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括：
第二電極支撐件，在所述襯底與所述第一電極支撐件之間，所述第二電極支撐件包括絕緣材料。
7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述下電極和所述第一電極支撐件彼此不接觸。
8.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述下電極中的每個下電極具有遠離所述襯底的上表面延伸的柱形。
9.一種半導體器件，包括：
多個下電極，在襯底上；
電極支撐件，在所述多個下電極中的相鄰下電極之間包括導電材料，所述電極支撐件在其上表面上包括支撐暴露區(qū)域；
介電層，在所述電極支撐件和所述下電極上，但不在所述電極支撐件的所述支撐暴露區(qū)域上；
上電極，在所述介電層上；
上板電極，在所述上電極上并且電連接到所述電極支撐件；以及
接地插塞，連接到所述上板電極。
10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，
所述電極支撐件包括電極支撐部和圍繞所述電極支撐部的邊緣部，
所述下電極在所述電極支撐部中，并且
所述電極支撐件的所述邊緣部包括所述支撐暴露區(qū)域。
11.根據權利要求10所述的半導體器件，其中，
所述電極支撐件的所述上表面包括沿第一方向延伸的第一邊界線和沿與所述第一方向不同的第二方向延伸的第二邊界線，并且
所述支撐暴露區(qū)域沿所述電極支撐件的所述上表面的所述第一邊界線延伸。
12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，所述支撐暴露區(qū)域沿所述電極支撐件的所述上表面的所述第二邊界線延伸。
13.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述上板電極覆蓋所述支撐暴露區(qū)域。
14.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：
支撐連接圖案，連接到所述支撐暴露區(qū)域和所述上板電極。
15.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述接地插塞通過所述支撐暴露區(qū)域電連接到所述電極支撐件。
16.根據權利要求9所述的半導體器件，還包括：
絕緣間隔件，在所述電極支撐件與所述下電極中的每個下電極之間。
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