[發(fā)明專利]一種TC-SAW濾波器制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011320101.9
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN112448687A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 桂華青;張江浩
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東廣納芯科技有限公司
• 主分類號: H03H3/10
• 分類號: H03H3/10;H03H9/02
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 楊潔

本發(fā)明公開了一種TC?SAW制造方法，包括：基板預(yù)處理、正面鍍金屬膜、背面鍍金屬膜、涂光刻膠、曝光、顯影、沉積IDT、剝離光刻膠、沉積第一介質(zhì)層、第一介質(zhì)層減薄、沉積第二介質(zhì)層、第二介質(zhì)層減薄、探針測量、刻蝕背面金屬膜等步驟。根據(jù)本發(fā)明的方法可減少工藝流程，提高良率，并可使得IDT電極寬度均勻、形貌更好，器件也可以得到更好的保護(hù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及聲表面波(SAW)濾波器制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及溫度補(bǔ)償聲表面波(TC-SAW)濾波器制造方法。

背景技術(shù)

SAW濾波器被廣泛應(yīng)用于信號接收機(jī)前端以及雙工器和接收濾波器。SAW濾波器集低插入損耗和良好的抑制性能于一身，可實(shí)現(xiàn)較寬的帶寬和較小的體積。

現(xiàn)有技術(shù)的SAW濾波器中，電輸入信號通過間插的金屬叉指換能器(IDT)轉(zhuǎn)換為聲波，這種IDT是在壓電基板上形成的。現(xiàn)有的SAW濾波器的叉指換能器結(jié)構(gòu)制作時，一般采用剝離工藝(LIFT-OFF)，即在襯底上采用負(fù)性光刻膠通過曝光、顯影制成圖形，然后在其上淀積金屬膜，再用不侵蝕金屬膜的溶劑除去光刻膠，隨著光刻膠的去除，膠上的金屬被剝離，從而留下預(yù)設(shè)圖形的金屬結(jié)構(gòu)。

CN108923763A公開了一種高頻SAW之IDT銅工藝制造方法，包括：提供壓電材料襯底；在襯底上沉積介質(zhì)材料形成第一介質(zhì)層；涂覆正性光刻膠，經(jīng)曝光、顯影后定義出IDT圖形，采用干法蝕刻工藝刻蝕所述第一介質(zhì)層以形成與IDT圖形相應(yīng)的膜層形貌，去除正性光刻膠；沉積金屬形成IDT金屬層，該IDT金屬層至少頂層為Cu；采用CMP工藝進(jìn)行研磨使得IDT金屬層與第一介質(zhì)層平齊，形成與IDT圖形相應(yīng)的IDT金屬結(jié)構(gòu)；涂覆正性光刻膠，經(jīng)曝光、顯影后定義出第一介質(zhì)層的剝離區(qū)域，剝離該剝離區(qū)域之內(nèi)的介質(zhì)材料，去除正性光刻膠；在所形成的結(jié)構(gòu)表面沉積介質(zhì)材料形成第二介質(zhì)層；以及，對預(yù)設(shè)區(qū)域的第二介質(zhì)層開連接孔等步驟。

CN108768334A公開了一種TC-SAW之IDT銅工藝制造方法，包括：在壓電襯底上形成第一介質(zhì)層；通過正性光刻膠曝光和干法蝕刻在第一介質(zhì)層上形成IDT圖形形貌，沉積IDT金屬層，采用CMP工藝研磨IDT金屬層形成相應(yīng)的IDT金屬結(jié)構(gòu)，并沉積第二介質(zhì)層。

圖3示例性地示出了現(xiàn)有技術(shù)的高頻SAW之IDT銅工藝制造方法的具體工藝流程。

在步驟A，提供壓電材料襯底11。

在步驟B，在襯底11上沉積介質(zhì)材料形成第一介質(zhì)層22。

在步驟C，涂覆正性光刻膠，經(jīng)曝光、顯影后定義出IDT圖形，采用干法蝕刻工藝刻蝕所述第一介質(zhì)層22以形成與IDT圖形相應(yīng)的膜層形貌，去除正性光刻膠。

在步驟D，進(jìn)行IDT金屬層33的沉積。

在步驟E，采用CMP(化學(xué)機(jī)械研磨)工藝研磨IDT金屬層33，至第一介質(zhì)層22停止，使得IDT金屬層與第一介質(zhì)層22平齊，形成與IDT圖形相應(yīng)的彼此分立的IDT金屬結(jié)構(gòu)33a，從而IDT金屬結(jié)構(gòu)33a厚度與第一介質(zhì)層22相同。其中CMP的主要工藝原理是化學(xué)物質(zhì)與晶圓表面的物質(zhì)反應(yīng)，形成新的化合物，再由槳料中的微粒子機(jī)械式的研磨，加以去除。

在步驟F，涂覆正性光刻膠，在IDT圖形基礎(chǔ)上曝光、顯影后定義出第一介質(zhì)層22的剝離區(qū)域，介質(zhì)層剝離區(qū)域定義至所述IDT金屬結(jié)構(gòu)33a側(cè)壁之外一定距離，采用干法或濕法工藝剝離所述剝離區(qū)域之內(nèi)的介質(zhì)材料，從而在金屬結(jié)構(gòu)33a側(cè)壁留下保留層22a，然后去除正性光刻膠。圖中步驟F未示出正性光刻膠。

在步驟G，進(jìn)行上述介質(zhì)材料的二次沉積，形成第二介質(zhì)層44，第二介質(zhì)層44覆蓋IDT金屬結(jié)構(gòu)33a的表面以用于調(diào)整頻率。

在步驟H，對預(yù)設(shè)區(qū)域(例如部分IDT金屬結(jié)構(gòu)頂部)的第二介質(zhì)層44開連接孔55，從而形成最終圖形。