[發明專利]一種TC-SAW濾波器制造方法

在審

• 申請號: 202011320101.9
• 申請日: 2020-11-23
• 公開（公告）號: CN112448687A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 桂華青;張江浩
• 申請（專利權）人: 廣東廣納芯科技有限公司
• 主分類號: H03H3/10
• 分類號: H03H3/10;H03H9/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 楊潔

1.一種溫度補償聲表面波TC-SAW濾波器制造方法，所示方法包括以下步驟：

基板預處理；

在經預處理的所述基板的正面鍍上正面金屬膜；

在經預處理的所述基板的背面鍍上背面金屬膜；

在所述基板的所述正面金屬膜上涂光刻膠；

經過曝光、顯影去除部分所述光刻膠及所述正面金屬膜；

在正面沉積叉指換能器IDT金屬層；

剝離所述光刻膠；

在正面沉積第一介質層；

將所述第一介質層減薄；

在經減薄的所述第一介質層上沉積第二介質層；

將所述第二介質層減薄；以及

刻蝕所述背面金屬膜。

2.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

所述正面金屬膜的材料為鋁，采用蒸鍍或磁控濺射方法進行沉積，厚度范圍為100～200nm。

3.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

所述背面金屬膜的材料為鈦或鎳，采用蒸鍍或磁控濺射方法進行沉積，厚度范圍為100～200nm。

4.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

所述光刻膠為正性光刻膠，所述光刻膠的厚度范圍為1um～2um。

5.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

所述IDT金屬層是鋁層或頂層為鋁的金屬膜組合，采用濺鍍或蒸鍍方式沉積所述IDT金屬層，IDT圖形電極線寬度范圍為300～1400nm，且IDT圖形電極的厚度范圍為100～500nm。

6.如權利要求5所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

所述頂層為鋁的金屬膜組合為Al、Al/Cu、或Ti/AL/Cu組合。

7.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

所述第一介質層的材料為SiO₂或SiN_x，所述第一介質層的沉積方式為PECVD、CVD、或PVD；并且

所述第二介質層的材料為SiN，所述第二介質層的沉積方式為PECVD、CVD、或PVD。

8.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

將所述第一介質層減薄是通過化學機械研磨工藝將所述第一介質層研磨至所需厚度來實現的。

9.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

將所述第二介質層減薄是通過trimming來實現的，所述第二介質層的厚度和濾波器頻率相關，所述方法進一步包括，在將所述第二介質層減薄之后，進行頻率測量。

10.如權利要求1所述的TC-SAW濾波器制造方法，其特征在于：

刻蝕所述背面金屬膜是采用濕法蝕刻工藝實現的。