[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

在審

• 申請號: 202011316620.8
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112838003A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 出貝求;中谷公彥;中川崇;早稻田崇之;橋本良知
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 牛蔚然

本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。課題為提高蝕刻的控制性。通過將非同時進行下述工序的循環進行規定次數以對基底進行蝕刻：(a)向在襯底的表面露出的基底供給改性劑，在基底的表面形成改性層的工序；和(b)向改性層供給含鹵素氣體，使改性層與含鹵素氣體反應以產生含鹵素自由基，使該含鹵素自由基與基底反應的工序。

技術領域

本發明涉及半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質。

背景技術

作為半導體器件的制造工序的一個工序，有時進行對在襯底的表面露出的基底進行蝕刻的處理(例如參見專利文獻1)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2019-160962號公報

發明內容

發明要解決的課題

本發明的目的在于提供能夠提高蝕刻的控制性的技術。

用于解決課題的手段

根據本發明的一方案，提供進行將非同時進行下述工序的循環進行規定次數以對基底進行蝕刻的工序的技術：

(a)向在襯底的表面露出的基底供給改性劑，在所述基底的表面形成改性層的工序；和

(b)向所述改性層供給含鹵素氣體，使所述改性層與所述含鹵素氣體反應以產生含鹵素自由基，使該含鹵素自由基與所述基底反應的工序。

發明效果

根據本發明，能夠提高蝕刻的控制性。

附圖說明

圖1是本發明的一方案中優選使用的襯底處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，是以縱剖視圖示出處理爐202部分的圖。

圖2是本發明的一方案中優選使用的襯底處理裝置的縱型處理爐的概略構成圖，是以圖1的A-A線剖視圖示出處理爐202部分的圖。

圖3是本發明的一方案中優選使用的襯底處理裝置的控制器121的概略構成圖，是以框圖示出控制器121的控制系統的圖。

圖4是示出本發明的一方案中的氣體供給時序的圖。

圖5的(a)是示出對在晶片200的表面露出的基底200a的表面進行前處理以使基底200a的表面OH封端的情形的、晶片200的表面處的剖面局部放大圖；(b)是示出向使表面OH封端后的基底200a供給改性劑以在基底200a的表面形成改性層200b的情形的、晶片200的表面處的剖面局部放大圖；(c)是示出向改性層200b供給含鹵素氣體以使改性層200b與含鹵素氣體反應而產生含鹵素自由基并使該含鹵素自由基與基底200a反應的情形的、晶片200的表面處的剖面局部放大圖；(d)是利用與含鹵素自由基的反應而使基底200a的表層被蝕刻后的晶片200的表面處的剖面局部放大圖。

圖6是示出基底的蝕刻速率的測定結果的圖。

具體實施方式

＜本發明的一方案＞

以下，主要參照圖1～圖4對本發明的一方案進行說明。

(1)襯底處理裝置的構成

如圖1所示，處理爐202具有作為加熱機構(溫度調節部)的加熱器207。加熱器207為圓筒形狀，通過支承在保持板上而垂直安裝。加熱器207也作為通過熱而使氣體活化(激發)的活化機構(激發部)發揮作用。