[發明專利]半導體器件的制造方法、襯底處理裝置及記錄介質

在審

• 申請號: 202011316620.8
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112838003A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 出貝求;中谷公彥;中川崇;早稻田崇之;橋本良知
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L21/67
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 牛蔚然

1.半導體器件的制造方法，其具有將非同時進行下述工序的循環進行規定次數以對基底進行蝕刻的工序：

(a)向在襯底的表面露出的基底供給改性劑，在所述基底的表面形成改性層的工序；和

(b)向所述改性層供給含鹵素氣體，使所述改性層與所述含鹵素氣體反應以產生含鹵素自由基，使該含鹵素自由基與所述基底反應的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在(b)中，在所述含鹵素氣體與所述改性層的反應比所述含鹵素氣體與所述基底的反應更易于進行的條件下供給所述含鹵素氣體。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在(b)中，在所述含鹵素氣體與所述改性層的反應進行、所述含鹵素氣體與所述基底的反應不進行的條件下供給所述含鹵素氣體。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，在(b)中，利用通過所述含鹵素氣體與所述改性層的反應產生的所述含鹵素自由基對所述基底進行蝕刻。

5.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，在(b)中，在所述含鹵素自由基與所述基底的反應比所述含鹵素氣體與所述基底的反應更易于進行的條件下供給所述含鹵素氣體。

6.根據權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其中，在(b)中，在所述含鹵素自由基與所述基底的反應進行、所述含鹵素氣體與所述基底的反應不進行的條件下供給所述含鹵素氣體。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述改性劑包含含硅氣體，

在(a)中，使所述含硅氣體中所含的硅吸附于所述基底的表面。

8.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述改性劑包含氨基硅烷，

在(a)中，使所述氨基硅烷中所含的硅吸附于所述基底的表面。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中，在(a)中，在硅向所述基底的表面的吸附飽和的條件下供給所述改性劑。

10.根據權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其中，在(a)中，在硅向所述基底的表面的吸附產生自限性的條件下供給所述改性劑。

11.根據權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其中，在(a)中，在硅向所述基底的表面的吸附飽和的條件下供給所述改性劑。

12.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述循環在進行(a)之前還具有(c)對所述基底的表面進行前處理的工序。

13.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中，在(c)中，在所述基底的表面形成吸附位點。

14.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述循環在進行(a)之前還具有(c)使所述基底的表面OH封端的工序。

15.根據權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其中，在(c)中，向所述襯底供給包含氧及氫的氣體。

16.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，

所述含鹵素氣體包含含氟氣體、含氯氣體及含碘氣體中的至少任一者。

17.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述含鹵素自由基包含含氟自由基、含氯自由基及含碘自由基中的至少任一者。

18.根據權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其中，所述基底包含半金屬元素及金屬元素中的至少任一者。