[發(fā)明專利]補(bǔ)充刻蝕方法、半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011315376.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN112490123A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林源為
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/305
• 代理公司: 北京潤澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種補(bǔ)充刻蝕方法、半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，該方法包括：獲取當(dāng)前的實(shí)際刻蝕深度，判斷實(shí)際刻蝕深度是否達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度；若實(shí)際刻蝕深度未達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度，基于實(shí)際刻蝕深度、目標(biāo)刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)、常規(guī)刻蝕各工藝參數(shù)的初始值和最終值，計(jì)算補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中各工藝參數(shù)的數(shù)值；基于計(jì)算得到的補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中工藝參數(shù)的數(shù)值，執(zhí)行補(bǔ)充刻蝕。通過本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，在常規(guī)刻蝕的刻蝕深度沒有達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度時(shí)，可以自動(dòng)計(jì)算出補(bǔ)充刻蝕所需的工藝參數(shù)的數(shù)值，并基于補(bǔ)充刻蝕所需的工藝參數(shù)的數(shù)值進(jìn)行補(bǔ)充刻蝕以達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種補(bǔ)充刻蝕方法、半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備。

背景技術(shù)

等離子體深硅刻蝕是半導(dǎo)體器件加工過程中的一項(xiàng)重要工藝技術(shù)。通過深硅刻蝕得到的硅深微結(jié)構(gòu)具有較大的深寬比和較高的垂直度。

目前，為了獲得深度較深、角度垂直的硅微結(jié)構(gòu)，在等離子體深硅刻蝕中，對(duì)部分刻蝕參數(shù)施加遞增(ramping)即隨著刻蝕次數(shù)的增加刻蝕參數(shù)逐漸增加的刻蝕方式是一種被廣泛使用的方法。當(dāng)采用對(duì)部分刻蝕參數(shù)施加遞增的刻蝕方式進(jìn)行刻蝕時(shí)，需要計(jì)算出為達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度，刻蝕操作的執(zhí)行次數(shù)和每一次執(zhí)行的刻蝕操作采用的刻蝕參數(shù)。在實(shí)際的刻蝕過程中，由于各種影響刻蝕深度的因素，可能會(huì)出現(xiàn)在執(zhí)行計(jì)算出的執(zhí)行次數(shù)的刻蝕操作之后形成的刻蝕深度沒有達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度的情況。如何繼續(xù)刻蝕以達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度成為一個(gè)需要解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

為克服相關(guān)技術(shù)中存在的問題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N補(bǔ)充刻蝕方法、半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第一方面，提供一種補(bǔ)充刻蝕方法，包括：

獲取當(dāng)前的實(shí)際刻蝕深度，判斷所述實(shí)際刻蝕深度是否達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度；

若所述實(shí)際刻蝕深度未達(dá)到所述目標(biāo)刻蝕深度，基于所述實(shí)際刻蝕深度、所述目標(biāo)刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的刻蝕深度、所述常規(guī)刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)、所述常規(guī)刻蝕各工藝參數(shù)的初始值和最終值，計(jì)算補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中各工藝參數(shù)的數(shù)值；

基于計(jì)算得到的所述補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中工藝參數(shù)的數(shù)值，執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例的第二方面，提供一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，包括：

獲取單元，被配置為獲取當(dāng)前的實(shí)際刻蝕深度，判斷所述實(shí)際刻蝕深度是否達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度；

計(jì)算單元，被配置為若所述實(shí)際刻蝕深度未達(dá)到所述目標(biāo)刻蝕深度，基于所述實(shí)際刻蝕深度、所述目標(biāo)刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的刻蝕深度、所述常規(guī)刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)、所述常規(guī)刻蝕各工藝參數(shù)的初始值和最終值，計(jì)算補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中各工藝參數(shù)的數(shù)值；

補(bǔ)充刻蝕單元，被配置為基于計(jì)算得到的所述補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中工藝參數(shù)的數(shù)值，執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的補(bǔ)充刻蝕方法、半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，通過獲取當(dāng)前的實(shí)際刻蝕深度，判斷實(shí)際刻蝕深度是否達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度；若實(shí)際刻蝕深度未達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度，基于實(shí)際刻蝕深度、目標(biāo)刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)、常規(guī)刻蝕各工藝參數(shù)的初始值和最終值，計(jì)算補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中各工藝參數(shù)的數(shù)值；基于計(jì)算得到的補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中工藝參數(shù)的數(shù)值，執(zhí)行補(bǔ)充刻蝕的技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)了在執(zhí)行常規(guī)刻蝕后刻蝕深度沒有達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度時(shí)，可以自動(dòng)計(jì)算出補(bǔ)充刻蝕所需的工藝參數(shù)的數(shù)值，并基于補(bǔ)充刻蝕所需的工藝參數(shù)的數(shù)值進(jìn)行補(bǔ)充刻蝕以達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本申請(qǐng)的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本申請(qǐng)的原理。

圖1示出了本申請(qǐng)實(shí)施例提供的補(bǔ)充刻蝕方法的流程圖；