[發(fā)明專利]補(bǔ)充刻蝕方法、半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011315376.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN112490123A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林源為
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/67;H01J37/305
• 代理公司: 北京潤(rùn)澤恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

1.一種補(bǔ)充刻蝕方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取當(dāng)前的實(shí)際刻蝕深度，判斷所述實(shí)際刻蝕深度是否達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度；

若所述實(shí)際刻蝕深度未達(dá)到所述目標(biāo)刻蝕深度，基于所述實(shí)際刻蝕深度、所述目標(biāo)刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的刻蝕深度、所述常規(guī)刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)、所述常規(guī)刻蝕各工藝參數(shù)的初始值和最終值，計(jì)算補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中各工藝參數(shù)的數(shù)值；

基于計(jì)算得到的所述補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中工藝參數(shù)的數(shù)值，執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕之后，返回所述獲取當(dāng)前的實(shí)際刻蝕深度，判斷所述實(shí)際刻蝕深度是否達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度的步驟，循環(huán)執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕方法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述工藝參數(shù)包括以下至少之一：沉積時(shí)間、刻蝕時(shí)間、下電極功率、腔壓、上射頻功率、沉積進(jìn)氣量、刻蝕進(jìn)氣量、背壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，計(jì)算所述補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)，包括：

用所述常規(guī)刻蝕的刻蝕深度除以所述循環(huán)執(zhí)行次數(shù)，得到所述常規(guī)刻蝕的平均刻蝕速率；

將所述常規(guī)刻蝕的平均刻蝕速率作為所述補(bǔ)充刻蝕的平均刻蝕速率；

用所述目標(biāo)刻蝕深度減去所述實(shí)際刻蝕深度，得到剩余刻蝕深度；

用所述剩余刻蝕深度除以所述補(bǔ)充刻蝕的平均刻蝕速率，得到所述補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于，根據(jù)以下公式計(jì)算所述補(bǔ)充刻蝕每次循環(huán)中各工藝參數(shù)的數(shù)值：

X_initial-add＝X_final，

X_final-add＝X_final+(X_final-X_initial)*n_add/n_total，

X＝X_initial-add+(X_final-add-X_initial-add)*n/n_add，

其中，X_initial-add表示補(bǔ)充刻蝕時(shí)所述工藝參數(shù)的初始值，X_final表示常規(guī)刻蝕時(shí)所述工藝參數(shù)的最終值，X_final-add表示補(bǔ)充刻蝕所述工藝參數(shù)的最終值，X_initial表示常規(guī)刻蝕時(shí)所述工藝參數(shù)的初始值，n_add表示補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)，n_total表示常規(guī)刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)，X表示補(bǔ)充刻蝕時(shí)第n次循環(huán)采用的所述工藝參數(shù)的參數(shù)值，1≤n≤n_add。

6.一種半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括：

獲取單元，被配置為獲取當(dāng)前的實(shí)際刻蝕深度，判斷所述實(shí)際刻蝕深度是否達(dá)到目標(biāo)刻蝕深度；

計(jì)算單元，被配置為若所述實(shí)際刻蝕深度未達(dá)到所述目標(biāo)刻蝕深度，基于所述實(shí)際刻蝕深度、所述目標(biāo)刻蝕深度、常規(guī)刻蝕的刻蝕深度、所述常規(guī)刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)、所述常規(guī)刻蝕各工藝參數(shù)的初始值和最終值，計(jì)算補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中各工藝參數(shù)的數(shù)值；

補(bǔ)充刻蝕單元，被配置為基于計(jì)算得到的所述補(bǔ)充刻蝕的循環(huán)執(zhí)行次數(shù)和每次循環(huán)中工藝參數(shù)的數(shù)值，執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述補(bǔ)充刻蝕單元，進(jìn)一步被配置為在執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕之后，再次觸發(fā)所述獲取單元，以循環(huán)執(zhí)行所述補(bǔ)充刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的設(shè)備，其特征在于，所述工藝參數(shù)包括以下至少之一：沉積時(shí)間、刻蝕時(shí)間、下電極功率、腔壓、上射頻功率、沉積進(jìn)氣量、刻蝕進(jìn)氣量、背壓。