[發(fā)明專利]一種用于NAND閃存芯片信號(hào)檢測(cè)的方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011313805.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112382332A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 韓國(guó)軍;胡海華;張孝誼;方毅
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): G11C29/50
• 分類號(hào): G11C29/50;G06K9/00;G06K9/62;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 蘇云輝

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種用于NAND閃存芯片信號(hào)檢測(cè)的方法及裝置，申請(qǐng)人通過(guò)實(shí)驗(yàn)分析發(fā)現(xiàn)，由于不同狀態(tài)的受干擾閃存單元的閾值電壓不是交錯(cuò)呈現(xiàn)，而是與受干擾單元的閾值電壓具有正相關(guān)關(guān)系，隨著耦合強(qiáng)度增大受干擾閃存單元的閾值電壓向右偏移越明顯，也就是說(shuō)閃存單元之間的閾值電壓具有相關(guān)性，而CNN網(wǎng)絡(luò)模型又能很好對(duì)相關(guān)性這種特征進(jìn)行提取，因此本申請(qǐng)通過(guò)訓(xùn)練建立閃存信道的CNN網(wǎng)絡(luò)模型來(lái)對(duì)閃存芯片信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)；同時(shí)考慮到閃存信道是非穩(wěn)定性的，因此計(jì)算出CNN網(wǎng)絡(luò)模型的魯棒性，為了測(cè)試CNN網(wǎng)絡(luò)模型的更新時(shí)間，使得CNN網(wǎng)絡(luò)模型能夠準(zhǔn)確地對(duì)NAND閃存芯片信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)，解決了現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法準(zhǔn)確地對(duì)NAND閃存芯片信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于NAND閃存芯片信號(hào)檢測(cè)的方法及裝置。

背景技術(shù)

閃存是一種層級(jí)結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)介質(zhì)，閃存從高到低的存儲(chǔ)層級(jí)結(jié)構(gòu)分別為：芯片、晶圓、分組、塊、字線、頁(yè)、單元。隨著NAND閃存存儲(chǔ)的密度增加，NAND閃存面臨著越來(lái)越多的數(shù)據(jù)可靠性的挑戰(zhàn)，因此，提高NAND閃存的信號(hào)檢測(cè)性能成為存儲(chǔ)領(lǐng)域研究熱點(diǎn)。

現(xiàn)有的NAND閃存芯片信號(hào)檢測(cè)技術(shù)，需知信道分布偏移，再找出最優(yōu)的判決閾值電壓對(duì)閃存芯片信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。然而，在實(shí)際中閃存信道是一個(gè)非穩(wěn)定信道，隨數(shù)據(jù)失配保持時(shí)間的變化，信道偏移是未知，因此很難得到精確的閃存信道模型；而且現(xiàn)有技術(shù)忽略了閃存單元之間的干擾，導(dǎo)致無(wú)法準(zhǔn)確地對(duì)NAND閃存芯片信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于NAND閃存芯片信號(hào)檢測(cè)的方法及裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)無(wú)法準(zhǔn)確地對(duì)NAND閃存芯片信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)的技術(shù)問(wèn)題。

有鑒于此，本申請(qǐng)第一方面提供了一種用于NAND閃存芯片信號(hào)檢測(cè)的方法，所述方法包括：

S1、設(shè)置閃存信道參數(shù)以及耦合強(qiáng)度因子；

S2、當(dāng)閃存單元被編程后，讀取閃存控制器的第一閃存字線的閾值電壓，根據(jù)所述第一閃存字線的閾值電壓獲得LLR值，并對(duì)所述LLR值進(jìn)行譯碼得到信息符號(hào)標(biāo)簽，將所述信息符號(hào)標(biāo)簽編碼為一維序列；

S3、讀取所述第一閃存字線的受干擾字線的閾值電壓，將所述受干擾字線的閾值電壓與所述第一閃存字線的閾值電壓組成二維序列；

S4、通過(guò)所述一維序列和所述二維序列對(duì)CNN網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行訓(xùn)練，得到所述閃存信道的CNN網(wǎng)絡(luò)模型；

S5、獲取所述閃存控制器的閾值電壓量化值，根據(jù)預(yù)置的失配保持時(shí)間、失配擦除和編程循環(huán)次數(shù)生成失配測(cè)試集，通過(guò)所述失配測(cè)試集對(duì)所述CNN網(wǎng)絡(luò)模型進(jìn)行測(cè)試，得到所述CNN網(wǎng)絡(luò)模型的魯棒性。

可選地，步驟S4之后還包括：

基于所述CNN網(wǎng)絡(luò)模型，對(duì)若干個(gè)預(yù)置閾值電壓分別進(jìn)行特征提取，得到各所述預(yù)置閾值電壓的序列，并分別計(jì)算各所述預(yù)置閾值電壓的序列的所屬狀態(tài)概率；

基于LLR值計(jì)算公式，根據(jù)各所述預(yù)置閾值電壓的序列的所屬狀態(tài)概率計(jì)算所述閃存單元的LLR值。

可選地，所述LLR值計(jì)算公式為：

其中，

式中，L(b_id)為閃存單元中的比特位b_i對(duì)應(yīng)的LLR值，為所屬狀態(tài)為j的概率，θ_i為softmax函數(shù)的權(quán)重參數(shù)，Z_i為所述預(yù)置閾值電壓的序列，m∈{1,2,...,M}，T為轉(zhuǎn)置。

可選地，所述設(shè)置閃存信道參數(shù)包括：設(shè)置所述閃存信道的閃存結(jié)構(gòu)為全位線結(jié)構(gòu)。

可選地，步驟S2，具體包括：