[發(fā)明專利]一種用于NAND閃存芯片信號檢測的方法及裝置

在審

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• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112382332A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發(fā)明（設計）人: 韓國軍;胡海華;張孝誼;方毅
• 申請（專利權）人: 廣東工業(yè)大學
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50;G06K9/00;G06K9/62;G06N3/04;G06N3/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 蘇云輝

1.一種用于NAND閃存芯片信號檢測的方法，其特征在于，包括：

S1、設置閃存信道參數(shù)以及耦合強度因子；

S2、當閃存單元被編程后，讀取閃存控制器的第一閃存字線的閾值電壓，根據(jù)所述第一閃存字線的閾值電壓獲得LLR值，并對所述LLR值進行譯碼得到信息符號標簽，將所述信息符號標簽編碼為一維序列；

S3、讀取所述第一閃存字線的受干擾字線的閾值電壓，將所述受干擾字線的閾值電壓與所述第一閃存字線的閾值電壓組成二維序列；

S4、通過所述一維序列和所述二維序列對CNN網(wǎng)絡進行訓練，得到所述閃存信道的CNN網(wǎng)絡模型；

S5、獲取所述閃存控制器的閾值電壓量化值，根據(jù)預置的失配保持時間、失配擦除和編程循環(huán)次數(shù)生成失配測試集，通過所述失配測試集對所述CNN網(wǎng)絡模型進行測試，得到所述CNN網(wǎng)絡模型的魯棒性。

2.根據(jù)權利要求1所述的用于NAND閃存芯片信號檢測的方法，其特征在于，步驟S4之后還包括：

基于所述CNN網(wǎng)絡模型，對若干個預置閾值電壓分別進行特征提取，得到各所述預置閾值電壓的序列，并分別計算各所述預置閾值電壓的序列的所屬狀態(tài)概率；

基于LLR值計算公式，根據(jù)各所述預置閾值電壓的序列的所屬狀態(tài)概率計算所述閃存單元的LLR值。

3.根據(jù)權利要求2所述的用于NAND閃存芯片信號檢測的方法，其特征在于，所述LLR值計算公式為：

其中，

式中，L(b_id)為閃存單元中的比特位b_i對應的LLR值，為所屬狀態(tài)為j的概率，θ_i為softmax函數(shù)的權重參數(shù)，Z_i為所述預置閾值電壓的序列，m∈{1,2,...,M}，T為轉置。

4.根據(jù)權利要求1所述的用于NAND閃存芯片信號檢測的方法，其特征在于，所述設置閃存信道參數(shù)包括：設置所述閃存信道的閃存結構為全位線結構。

5.根據(jù)權利要求1所述的用于NAND閃存芯片信號檢測的方法，其特征在于，步驟S2，具體包括：

當所述閃存單元被編程后，對所述閃存單元的閾值電壓區(qū)間進行均勻量化，讀取所述閃存控制器的第一閃存字線的閾值電壓，根據(jù)所述第一閃存字線的閾值電壓獲得LLR值；

通過BP譯碼器對所述LLR值進行譯碼得到信息符號標簽，對所述信息符號標簽進行獨熱編碼得到所述一維序列。

6.根據(jù)權利要求1所述的用于NAND閃存芯片信號檢測的方法，其特征在于，所述獲取所述閃存控制器的閾值電壓量化值，具體包括：

對所述閃存控制器進行感應和解碼，得到所述閃存控制器的閾值電壓和狀態(tài)標簽；

讀取所述閃存控制器的閾值電壓后，對所述閃存控制器的閾值電壓進行計算得到閾值電壓量化值。

7.一種用于NAND閃存芯片信號檢測的裝置，其特征在于，包括：

設置單元，用于設置閃存信道參數(shù)以及耦合強度因子；

第一讀取單元，用于當閃存單元被編程后，讀取閃存控制器的第一閃存字線的閾值電壓，根據(jù)所述第一閃存字線的閾值電壓獲得LLR值，并對所述LLR值進行譯碼得到信息符號標簽，將所述信息符號標簽編碼為一維序列；

第二讀取單元，用于讀取所述第一閃存字線的受干擾字線的閾值電壓，將所述受干擾字線的閾值電壓與所述第一閃存字線的閾值電壓組成二維序列；

訓練單元，用于通過所述一維序列和所述二維序列對CNN網(wǎng)絡進行訓練，得到所述閃存信道的CNN網(wǎng)絡模型；

測試單元，用于獲取所述閃存控制器的閾值電壓量化值，根據(jù)預置的失配保持時間、失配擦除和編程循環(huán)次數(shù)生成失配測試集，通過所述失配測試集對所述CNN網(wǎng)絡模型進行測試，得到所述CNN網(wǎng)絡模型的魯棒性。