[發(fā)明專利]集成電路裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011313663.0 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-20 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113314529A | 公開(公告)日: | 2021-08-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃乾燿;林文傑;陳國(guó)基 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/092 | 分類號(hào): | H01L27/092 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 裝置 | ||
一種集成電路裝置包括第一半導(dǎo)體類型的多個(gè)第一阱分接頭單元,及不同于第一半導(dǎo)體類型的第二半導(dǎo)體類型的多個(gè)第二阱分接頭單元。多個(gè)第一阱分接頭單元配置在至少兩個(gè)列中,至少兩個(gè)列在第一方向上彼此相鄰且在橫向于第一方向的第二方向上延伸。多個(gè)第一阱分接頭單元中的每一個(gè)具有在第一方向上的第一長(zhǎng)度。多個(gè)第二阱分接頭單元包括至少一個(gè)第二阱分接頭單元,至少一個(gè)第二阱分接頭單元在大于第一方向上的多個(gè)第一阱分接頭單元中的每一個(gè)的第一長(zhǎng)度的第二長(zhǎng)度上,在至少兩個(gè)列之間,在第一方向上延伸。
技術(shù)領(lǐng)域
本案是關(guān)于一種集成電路裝置,特別是關(guān)于一種具有不同半導(dǎo)體類型的阱分接頭單元的集成電路裝置。
背景技術(shù)
集成電路(integrated circuit;IC)通常包括表示在IC布置圖中的許多半導(dǎo)體裝置。IC布置圖為階層式的,且包括根據(jù)半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)規(guī)范執(zhí)行較高階功能的模塊。模塊通常由單元的組合構(gòu)建,這些單元中每一個(gè)表示用以進(jìn)行特定功能的一或多個(gè)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。具有預(yù)設(shè)計(jì)布置圖的單元有時(shí)稱為標(biāo)準(zhǔn)單元,這些單元儲(chǔ)存在標(biāo)準(zhǔn)單元程序館(在下文中為簡(jiǎn)單起見“程序館”或“單元程序館”)中且可通過諸如電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(electronicdesign automation;EDA)工具的各種工具存取,以產(chǎn)生、最佳化且驗(yàn)證用于IC的設(shè)計(jì)。
發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本案的一實(shí)施例,揭露一種集成電路裝置包括第一半導(dǎo)體類型的多個(gè)第一阱分接頭單元,及不同于第一半導(dǎo)體類型的第二半導(dǎo)體類型的多個(gè)第二阱分接頭單元。多個(gè)第一阱分接頭單元配置在至少兩個(gè)列中,至少兩個(gè)列在第一方向上彼此相鄰且在橫向于第一方向的第二方向上延伸。多個(gè)第一阱分接頭單元中的每一個(gè)具有在第一方向上的第一長(zhǎng)度。多個(gè)第二阱分接頭單元包括至少一個(gè)第二阱分接頭單元,至少一個(gè)第二阱分接頭單元在大于第一方向上的多個(gè)第一阱分接頭單元中的每一個(gè)的第一長(zhǎng)度的第二長(zhǎng)度上,在至少兩個(gè)列之間,在第一方向上延伸。
附圖說(shuō)明
當(dāng)與隨附附圖一起閱讀時(shí),根據(jù)以下詳細(xì)描述更好地理解本揭示案的一實(shí)施例的態(tài)樣。應(yīng)注意,根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐,各種特征未按比例描繪。實(shí)際上,出于論述的清晰性,可任意地增強(qiáng)或減少各種特征的尺寸。
圖1A為根據(jù)一些實(shí)施例的IC布置圖的示意圖;
圖1B為根據(jù)一些實(shí)施例的IC布置圖的一部分的示意性放大視圖;
圖1C為與根據(jù)一些實(shí)施例的IC裝置的示意性電路圖組合的示意性橫截面圖;
圖2為根據(jù)一些實(shí)施例的IC布置圖的示意圖;
圖3A為根據(jù)一些實(shí)施例的IC布置圖的示意圖;
圖3B為根據(jù)一些實(shí)施例的IC布置圖的示意圖;
圖4A為根據(jù)一些實(shí)施例的IC布置圖的示意圖;
圖4B為與根據(jù)一些實(shí)施例的IC裝置的示意性電路圖組合的示意性橫截面圖;
圖5為根據(jù)一些實(shí)施例的產(chǎn)生IC布置圖的方法的流程圖;
圖6為根據(jù)一些實(shí)施例的具有鰭特征的示例性晶體管的透視圖;
圖7為根據(jù)一些實(shí)施例的EDA系統(tǒng)的方塊圖;
圖8為根據(jù)一些實(shí)施例的IC制造系統(tǒng)及與該IC制造系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的IC制造流程的方塊圖。
【符號(hào)說(shuō)明】
A:單元高度
A1:高度
A2:高度
CPP:節(jié)距
d:間隔
2*DX:第一距離
2*DY:第二距離
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





