[發(fā)明專利]集成電路裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011313663.0 | 申請日： | 2020-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN113314529A | 公開（公告）日： | 2021-08-27 |
| 發(fā)明（設計）人： | 黃乾燿;林文傑;陳國基 | 申請（專利權(quán)）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/092 | 分類號： | H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 裝置 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種集成電路裝置，其特征在于，包含：
一第一半導體類型的多個第一阱分接頭單元；以及
一第二半導體類型的多個第二阱分接頭單元，該第二半導體類型不同于該第一半導體類型，
其中所述多個第一阱分接頭單元配置在至少兩個列中，該至少兩個列在一第一方向上彼此相鄰且在橫向于該第一方向的一第二方向上延伸，
所述多個第一阱分接頭單元中的每一個具有在該第一方向上的一第一長度，且
所述多個第二阱分接頭單元包含至少一個第二阱分接頭單元，該至少一個第二阱分接頭單元在大于該第一方向上的所述多個第一阱分接頭單元中的每一個的該第一長度的一第二長度上，在該至少兩個列之間，在該第一方向上延伸。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
