[發明專利]一種晶圓系統級三維扇出型封裝結構及其制作方法

在審

• 申請號: 202011310588.2
• 申請日: 2020-11-20
• 公開（公告）號: CN112289742A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 陳彥亨;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/535;H01L25/04;H01L25/16
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 劉星

1.一種晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

形成重新布線層，所述重新布線層包括相對設置的第一面與第二面，且所述重新布線層包括在垂直方向上堆疊的至少一層介質層及至少一層金屬布線層；

形成導電連接柱于所述重新布線層的第二面，所述導電連接柱與所述重新布線層電性相連；

提供貼片元件，將所述貼片元件接合于所述重新布線層的第二面上，所述貼片元件與所述重新布線層電性相連；

形成塑封層于所述重新布線層的第二面上，所述塑封層覆蓋所述導電連接柱及所述貼片元件；

減薄所述塑封層以顯露所述導電連接柱；

形成多個焊料凸點于所述塑封層背離所述重新布線層的一側，至少一所述焊料凸點與所述導電連接柱電性相連；

切割所述重新布線層及所述塑封層，得到多個第一封裝體；

提供第二封裝體，將所述第二封裝體接合于所述第一封裝體的所述重新布線層的第一面，所述第二封裝體與所述重新布線層電性相連。

2.根據權利要求1所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟：提供一載體，形成釋放層于所述載體上，其中，所述重新布線層形成于釋放層上，所述重新布線層的第一面與所述釋放層連接。

3.根據權利要求2所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于，在切割之前，先去除所述載體及所述釋放層以暴露出所述重新布線層的第一面。

4.根據權利要求1所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于，還包括以下步驟：形成通孔，所述通孔自所述重新布線層的第一面開口，并往所述重新布線層的第二面方向延伸，以顯露所述金屬布線層。

5.根據權利要求4所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于：采用激光打孔法形成所述通孔。

6.根據權利要求4所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于：所述第二封裝體的一面設有導電凸塊，所述導電凸塊伸入所述通孔中以與所述金屬布線層電性相連。

7.根據權利要求1所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于：還包括形成絕緣層于所述塑封層背離所述重新布線層的一面，并形成凸點下金屬層于所述絕緣層表面的步驟，所述焊料凸點形成于所述凸點下金屬層背離所述塑封層的一面。

8.根據權利要求1所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構的制作方法，其特征在于：所述貼片元件包括被動元件。

9.一種晶圓系統級三維扇出型封裝結構，其特征在于，包括：

重新布線層，包括相對設置的第一面與第二面，所述重新布線層包括在垂直方向上堆疊的至少一層介質層及至少一層金屬布線層；

貼片元件，接合于所述重新布線層的第二面，并與所述重新布線層電性相連；

塑封層，位于所述重新布線層的第二面，并覆蓋所述貼片元件；

導電連接柱，在垂直方向上貫穿所述塑封層，并與所述重新布線層電性相連；

多個焊料凸點，分布于所述塑封層背離所述重新布線層的一側，至少一所述焊料凸點與所述導電連接柱電性相連；

封裝體，接合于所述重新布線層的第一面，所述封裝體與所述重新布線層電性相連。

10.根據權利要求9所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構，其特征在于：所述重新布線層中設有通孔，所述通孔自所述重新布線層的第一面開口，并往所述重新布線層的第二面方向延伸，以顯露所述金屬布線層，所述封裝體的一面設有導電凸塊，所述導電凸塊伸入所述通孔中以與所述金屬布線層電性相連。

11.根據權利要求9所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構，其特征在于：還包括絕緣層及凸點下金屬層，所述絕緣層位于所述塑封層背離所述重新布線層的一面，所述凸點下金屬層位于所述焊料凸點面向所述塑封層的一面，并與所述絕緣層接觸。

12.根據權利要求9所述的晶圓系統級三維扇出型封裝結構，其特征在于：所述貼片元件包括被動元件。