[發明專利]空氣橋的制備方法、空氣橋結構及超導量子芯片在審
| 申請號: | 202011309305.2 | 申請日: | 2020-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN113707601A | 公開(公告)日: | 2021-11-26 |
| 發明(設計)人: | 張文龍;淮賽男;鄭亞銳;馮加貴;熊康林;丁孫安 | 申請(專利權)人: | 騰訊科技(深圳)有限公司;中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所 |
| 主分類號: | H01L21/768 | 分類號: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 空氣 制備 方法 結構 超導 量子 芯片 | ||
1.一種空氣橋的制備方法,其特征在于,所述方法包括:
在襯底上沉積符合所述空氣橋形狀的橋撐材料;
在所述襯底和所述橋撐材料上涂敷圖形化光刻膠;
基于所述空氣橋的開口要求接收在所述圖形化光刻膠上的曝光圖形化處理,所述開口要求用于指示所述空氣橋的橋面上開口的位置要求;
在曝光圖形化處理后的所述圖形化光刻膠上進行顯影處理;
在顯影處理后的橋撐材料上沉積橋材料,得到具有所述開口的所述空氣橋。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述開口位于所述空氣橋的引橋部分;或,所述開口位于所述空氣橋的引橋部分和橋墩部分;
所述基于所述空氣橋的開口要求接收在所述圖形化光刻膠上的曝光圖形化處理,包括:
在所述圖形化光刻膠上的圖形化區域覆蓋掩膜板,所述圖形化區域為除所述開口對應的位置以外的區域;
在所述圖形化光刻膠上施加光照,進行所述曝光圖形化處理。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述在顯影處理后的橋撐材料上沉積橋材料,得到具有所述開口的所述空氣橋,包括:
在顯影處理后的橋撐材料上沉積橋材料;
釋放所述空氣橋周側的所述圖形化光刻膠;
從所述開口處釋放刻蝕材料,刻蝕所述橋撐材料,得到具有所述開口的所述空氣橋。
4.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述圖形化光刻膠上的圖形化區域覆蓋掩膜板,包括:
響應于所述開口位于引橋部分,在所述圖形化光刻膠上與所述橋墩部分和橋頂部分對應的區域,以及所述引橋部分中非開口部分對應的區域覆蓋所述掩膜板;
響應于所述開口位于所述引橋部分和所述橋墩部分,在所述圖形化光刻膠上與所述橋頂部分對應的區域、所述引橋部分和所述橋墩部分中非開口部分對應的區域覆蓋所述掩膜板。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述開口位于所述空氣橋的橋頂部分;或,所述開口位于所述空氣橋的引橋部分;或,所述開口位于所述空氣橋的引橋部分和橋墩部分;
所述基于所述空氣橋的開口要求接收在所述圖形化光刻膠上的曝光圖形化處理,包括:
在所述圖形化光刻膠上的與所述橋撐材料對應的區域覆蓋掩膜板;
在所述圖形化光刻膠上施加光照,進行所述曝光圖形化處理。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述在顯影處理后的橋撐材料上沉積橋材料,得到具有所述開口的所述空氣橋,包括:
在所述顯影處理后的所述橋撐材料上沉積橋材料,得到基礎空氣橋,所述基礎空氣橋上不具有所述開口;
在所述基礎空氣橋涂敷用于制備開口的光刻膠;
在所述用于制備開口的光刻膠上的圖形化區域覆蓋掩膜板,所述圖形化區域為除所述開口對應的位置以外的區域;
基于所述掩膜板對所述基礎空氣橋進行開口處理,得到具有所述開口的所述空氣橋。
7.根據權利要求6所述的方法,其特征在于,所述基于所述掩膜板對所述基礎空氣橋進行開口處理,得到具有所述開口的所述空氣橋,包括:
在所述用于制備開口的光刻膠上施加光照,對所述用于制備開口的光刻膠進行曝光處理;
對曝光處理后的所述用于制備開口的光刻膠進行顯影處理,得到所述空氣橋的開口圖案;
基于所述開口圖案在所述基礎空氣橋上進行刻蝕,得到具有所述開口的所述空氣橋。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述開口圖案在所述基礎空氣橋上進行刻蝕,得到具有所述開口的所述空氣橋,包括:
基于所述開口圖案在所述基礎空氣橋上進行刻蝕,并釋放所述空氣橋周側的所述用于制備開口的光刻膠;
從所述開口處釋放刻蝕材料,刻蝕所述橋撐材料,得到具有所述開口的所述空氣橋。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





