[發(fā)明專(zhuān)利]玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011309304.8
• 申請(qǐng)日: 2020-11-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112466784B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃欣;李建華
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市山本光電股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/67
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 謝岳鵬

本發(fā)明公開(kāi)了一種玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法。所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法包括如下步驟：將異方性導(dǎo)電膠膜貼附在導(dǎo)電玻璃、將IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的固定槽的IC芯片治具、將所述IC芯片治具中的所述IC芯片轉(zhuǎn)移到所述導(dǎo)電玻璃上以及將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓。通過(guò)將異方性導(dǎo)電膠膜貼附在導(dǎo)電玻璃、將IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的固定槽的IC芯片治具、將所述IC芯片治具中的所述IC芯片轉(zhuǎn)移到所述導(dǎo)電玻璃上和將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓等步驟，使得玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及玻璃襯底芯片生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)

在玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法中，通常需要將大量IC芯片按照產(chǎn)品需求設(shè)置于導(dǎo)電玻璃，目前的玻璃襯底芯片的生產(chǎn)效率低下。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一。為此，本發(fā)明提出一種玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，提高了玻璃襯底芯片的生產(chǎn)效率。

根據(jù)本發(fā)明第一方面實(shí)施例的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法包括如下步驟：

將異方性導(dǎo)電膠膜貼附在導(dǎo)電玻璃；

將IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的固定槽的IC芯片治具，所述固定槽的深度小于所述IC芯片的深度；

將所述IC芯片治具的工作面貼合于所述導(dǎo)電玻璃，使所述IC芯片與所述導(dǎo)電玻璃的焊點(diǎn)接觸，將所述IC芯片治具中的所述IC芯片轉(zhuǎn)移到所述導(dǎo)電玻璃上；

將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，至少具有如下技術(shù)效果：通過(guò)將異方性導(dǎo)電膠膜貼附在導(dǎo)電玻璃、將IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的固定槽的IC芯片治具、將所述IC芯片治具中的所述IC芯片轉(zhuǎn)移到所述導(dǎo)電玻璃上和將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓等步驟，使得玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法還包括:對(duì)所述導(dǎo)電玻璃進(jìn)行清潔。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，將所述IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具之前，還包括步驟：進(jìn)行所述IC芯片的質(zhì)量檢驗(yàn)。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，將所述IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具的步驟和將所述異方性導(dǎo)電膠膜貼附在所述導(dǎo)電玻璃的步驟同時(shí)進(jìn)行。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)還包括步驟：進(jìn)行所述異方性導(dǎo)電膠膜的金球檢查。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，在進(jìn)行所述異方性導(dǎo)電膠膜的金球檢查之后還包括步驟：對(duì)所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行整體點(diǎn)亮以及單顆所述IC芯片點(diǎn)亮的檢查。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，采用點(diǎn)亮筆進(jìn)行所述整體點(diǎn)亮或單顆所述IC芯片點(diǎn)亮，所述點(diǎn)亮筆的電壓調(diào)節(jié)為20伏至22伏之間，所述點(diǎn)亮筆的電流調(diào)節(jié)為0.4毫安到0.6毫安之間。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，在將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓之后還包括步驟：對(duì)導(dǎo)電玻璃進(jìn)行滴膠。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，在將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓的步驟中，采用加熱型熱壓機(jī)進(jìn)行熱壓。

根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一些實(shí)施例，進(jìn)行所述異方性導(dǎo)電膠膜的金球檢查后，需要進(jìn)行所述IC芯片的引腳與所述導(dǎo)電玻璃的焊點(diǎn)的偏移檢查。

本發(fā)明的附加方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從結(jié)合下面附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變得明顯和容易理解，其中：