[發(fā)明專利]玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011309304.8 | 申請日: | 2020-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN112466784B | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃欣;李建華 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市山本光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人: | 謝岳鵬 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明新區(qū)公明街道上村社區(qū)公*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 玻璃 襯底 芯片 生產(chǎn) 方法 | ||
1.玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,包括如下步驟:
將異方性導電膠膜貼附在導電玻璃;
將IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的固定槽的IC芯片治具,所述固定槽的深度小于所述IC芯片的深度;
將所述IC芯片治具的工作面貼合于所述導電玻璃,使所述IC芯片與所述導電玻璃的焊點接觸,將所述IC芯片治具中的所述IC芯片轉(zhuǎn)移到所述導電玻璃上;
將所述異方性導電膠膜進行熱壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法還包括:對所述導電玻璃進行清潔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,將所述IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具之前,還包括步驟:進行所述IC芯片的質(zhì)量檢驗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,將所述IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具的步驟和將所述異方性導電膠膜貼附在所述導電玻璃的步驟同時進行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法還包括步驟:進行所述異方性導電膠膜的金球檢查。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,進行所述異方性導電膠膜的金球檢查后,進行所述IC芯片的引腳與所述導電玻璃的焊點的偏移檢查。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,在進行所述異方性導電膠膜的金球檢查之后還包括步驟:對所述異方性導電膠膜進行整體點亮以及單顆所述IC芯片點亮的檢查。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,采用點亮筆進行所述整體點亮或單顆所述IC芯片點亮,所述點亮筆的電壓調(diào)節(jié)為20伏至22伏之間,所述點亮筆的電流調(diào)節(jié)為0.4毫安到0.6毫安之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,在將所述異方性導電膠膜進行熱壓之后還包括步驟:對所述導電玻璃進行滴膠。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法,其特征在于,在將所述異方性導電膠膜進行熱壓的步驟中,采用加熱型熱壓機進行熱壓。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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