[發(fā)明專利]玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011309304.8
• 申請(qǐng)日: 2020-11-20
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112466784B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃欣;李建華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市山本光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 謝岳鵬

1.玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，包括如下步驟：

將異方性導(dǎo)電膠膜貼附在導(dǎo)電玻璃；

將IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的固定槽的IC芯片治具，所述固定槽的深度小于所述IC芯片的深度；

將所述IC芯片治具的工作面貼合于所述導(dǎo)電玻璃，使所述IC芯片與所述導(dǎo)電玻璃的焊點(diǎn)接觸，將所述IC芯片治具中的所述IC芯片轉(zhuǎn)移到所述導(dǎo)電玻璃上；

將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法還包括:對(duì)所述導(dǎo)電玻璃進(jìn)行清潔。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，將所述IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具之前，還包括步驟：進(jìn)行所述IC芯片的質(zhì)量檢驗(yàn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，將所述IC芯片轉(zhuǎn)移至具有呈陣列分布的所述固定槽的所述IC芯片治具的步驟和將所述異方性導(dǎo)電膠膜貼附在所述導(dǎo)電玻璃的步驟同時(shí)進(jìn)行。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，所述玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法還包括步驟：進(jìn)行所述異方性導(dǎo)電膠膜的金球檢查。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，進(jìn)行所述異方性導(dǎo)電膠膜的金球檢查后，進(jìn)行所述IC芯片的引腳與所述導(dǎo)電玻璃的焊點(diǎn)的偏移檢查。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，在進(jìn)行所述異方性導(dǎo)電膠膜的金球檢查之后還包括步驟：對(duì)所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行整體點(diǎn)亮以及單顆所述IC芯片點(diǎn)亮的檢查。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，采用點(diǎn)亮筆進(jìn)行所述整體點(diǎn)亮或單顆所述IC芯片點(diǎn)亮，所述點(diǎn)亮筆的電壓調(diào)節(jié)為20伏至22伏之間，所述點(diǎn)亮筆的電流調(diào)節(jié)為0.4毫安到0.6毫安之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，在將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓之后還包括步驟：對(duì)所述導(dǎo)電玻璃進(jìn)行滴膠。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃襯底芯片生產(chǎn)方法，其特征在于，在將所述異方性導(dǎo)電膠膜進(jìn)行熱壓的步驟中，采用加熱型熱壓機(jī)進(jìn)行熱壓。