[發明專利]聲表面波器件

在審

• 申請號: 202011307506.9
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112825478A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 明相勛;裴相淇;趙宰賢
• 申請（專利權）人: 天津威盛電子有限公司
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/25
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 權鮮枝

根據本發明的一個方面的一種聲表面波器件，包括：基板；第一電極和第二電極，它們形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一電極和所述第二電極沿第二方向交替設置，所述第一電極的在所述第一方向的一側上的一端沿所述第二方向對準，并且所述第二電極的在所述第一方向的另一側上的一端沿所述第二方向對準；溫度補償膜，其覆蓋所述第一電極和所述第二電極；第一附加膜，其形成在所述溫度補償膜上以與所述第一電極的在所述第一方向的所述一側上的所述一端的部分區域垂直重疊；以及第二附加膜，其形成在所述溫度補償膜上以與所述第二電極的在所述第一方向的所述另一側上的所述一端的部分區域垂直重疊。

技術領域

本發明涉及聲表面波器件，更具體地，涉及能夠減少能量損耗的聲表面波器件。

背景技術

聲表面波(surface acoustic wave,SAW)是指沿著彈性基板的表面傳播的聲波。這種聲波是由作為壓電效應的結果的電信號產生的，并且如果聲波的電場集中在基板的表面周圍，則聲波可以與另一半導體的導電電子相互作用，該另一半導體位于基板的表面上。聲波傳播通過的介質是具有高機電耦合系數和低聲波能量損失的壓電材料，并且半導體是具有高傳導電子遷移率和最佳電阻率的材料，并且具有低DC功率元件，確保了最佳效率。聲表面波器件是利用聲表面波和傳導電子之間的相互作用，將電路替代為機電元件。

這種聲表面波器件(以下稱為“SAW器件”)不僅用于各種通信應用，而且用作移動通信蜂窩電話和基站的重要部分。最常用類型的SAW器件包括通帶濾波器和諧振器。由于它們的小尺寸和優良的技術參數(低損耗、選擇性等)以及低成本，SAW器件具有比基于其他物理原理的器件明顯更高的競爭優勢。

特別地，由于近來在SAW器件應用領域中要求低的插入損耗和高的濾波性能，已經進行了各種嘗試來降低插入損耗。然而，降低插入損耗的傳統方法調整電極之間的間隔或使用多個SAW器件，這導致使用SAW器件的模塊的整體尺寸增大，因此難以減小模塊的尺寸。

因此，需要開發一種能夠降低插入損耗和能量損耗而不增加SAW器件尺寸的新技術。

[現有技術文獻]

專利文獻

專利文獻0001：韓國專利公開No.10-2003-0070384(2003年8月30日公開)。

發明內容

提供該發明內容來以簡化的方式引入下面在具體實施方式中進一步描述的概念的選擇。該發明內容不是為了確定要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不是為了用來幫助確定要求保護的主題的范圍。

本發明的目的在于提供一種能夠降低插入損耗和能量損耗的聲表面波器件。

在一個總的方面，提供一種聲表面波(SAW)器件，其包括：基板；第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一電極和所述第二電極沿第二方向交替設置，所述第一電極的在所述第一方向的一側上的一端沿所述第二方向對準，并且所述第二電極的在所述第一方向的另一側上的一端沿所述第二方向對準；溫度補償膜，其覆蓋所述第一電極和所述第二電極；第一附加膜，其形成在所述溫度補償膜上以與所述第一電極的在所述第一方向的所述一側上的所述一端的部分區域垂直重疊；以及第二附加膜，其形成在所述溫度補償膜上以與所述第二電極的在所述第一方向的所述另一側上的所述一端的部分區域垂直重疊。

所述第一附加膜和所述第二附加膜可各自形成為沿所述第二方向延伸的整體形式。

所述SAW器件還可以包括反射器，該反射器被設置為在所述第一電極和所述第二電極的在所述第二方向上的兩側與所述第一電極和所述第二電極平行，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜均形成為也與所述反射器的部分區域垂直重疊。

所述第一附加膜和所述第二附加膜可以針對多個第一電極和第二電極中的每一個單獨地形成和布置。