[發(fā)明專利]聲表面波器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011307506.9
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112825478A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 明相勛;裴相淇;趙宰賢
• 申請（專利權(quán)）人: 天津威盛電子有限公司
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145;H03H9/25
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝

1.一種聲表面波SAW器件，其包括：

基板；

第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一電極和所述第二電極沿第二方向交替設(shè)置，所述第一電極的在所述第一方向的一側(cè)上的一端沿所述第二方向?qū)?zhǔn)，并且所述第二電極的在所述第一方向的另一側(cè)上的一端沿所述第二方向?qū)?zhǔn)；

溫度補(bǔ)償膜，其覆蓋所述第一電極和所述第二電極；

第一附加膜，其形成在所述溫度補(bǔ)償膜上以與所述第一電極的在所述第一方向的所述一側(cè)上的所述一端的部分區(qū)域垂直重疊；以及

第二附加膜，其形成在所述溫度補(bǔ)償膜上以與所述第二電極的在所述第一方向的所述另一側(cè)上的所述一端的部分區(qū)域垂直重疊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜各自形成為沿所述第二方向延伸的整體形式。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的SAW器件，所述SAW器件還包括反射器，該反射器被設(shè)置為在所述第一電極和所述第二電極的在所述第二方向上的兩側(cè)與所述第一電極和所述第二電極平行，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜均形成為也與所述反射器的部分區(qū)域垂直重疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜針對多個第一電極和第二電極中的每一個單獨(dú)地形成和布置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的SAW器件，所述SAW器件還包括：

反射器，該反射器被設(shè)置為在所述第一電極和所述第二電極的在所述第二方向上的兩側(cè)與所述第一電極和所述第二電極平行；以及

第三附加膜和第四附加膜，其被形成為分別從所述第一附加膜的布置和所述第二附加膜的布置進(jìn)一步向所述第二方向的兩側(cè)延伸，并且被布置為與所述反射器的部分區(qū)域垂直重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW器件，其中，第一凹槽和第二凹槽形成在所述溫度補(bǔ)償膜上以分別對應(yīng)于所述第一附加膜和所述第二附加膜的形狀，并且所述第一附加膜和所述第二附加膜分別形成在所述第一凹槽和所述第二凹槽中。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜與所述溫度補(bǔ)償膜一體地形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SAW器件，其中，所述第一附加膜和所述第二附加膜由氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、氧化鋁(Al₂O₃)、氧化鈦(TiO₂)、氧化鉭(Ta₂O₅)、氧化鉿(HfO₂)、鋁(Al)、銅(Cu)、鎢(W)、鉬(Mo)和鈦(Ti)中的任何一種制成。

9.一種聲表面波SAW器件，其包括：

基板；

第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極形成在所述基板上以沿第一方向延伸，其中，所述第一電極和所述第二電極沿第二方向交替設(shè)置，所述第一電極的在所述第一方向的一側(cè)上的一端沿所述第二方向?qū)?zhǔn)，并且所述第二電極的在所述第一方向的另一側(cè)上的一端沿所述第二方向?qū)?zhǔn)；

溫度補(bǔ)償膜，其覆蓋所述第一電極和所述第二電極；

保護(hù)膜，其覆蓋所述溫度補(bǔ)償膜；

第一附加膜，其形成在所述保護(hù)膜上以與所述第一電極的在所述第一方向的所述一側(cè)上的所述一端的部分區(qū)域垂直重疊；以及

第二附加膜，其形成在所述保護(hù)膜上以與所述第二電極的在所述第一方向的所述另一側(cè)上的所述一端的部分區(qū)域垂直重疊。