[發(fā)明專利]一種復(fù)合金屬箔及線路板

在審

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• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN114554686A
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇陟
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州方邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H05K1/16
• 分類號(hào): H05K1/16;H05K1/02
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 孟金喆

本發(fā)明公開一種復(fù)合金屬箔及線路板，復(fù)合金屬箔包括：介質(zhì)層、調(diào)節(jié)層、第一電阻層和第一導(dǎo)電層，調(diào)節(jié)層設(shè)置在介質(zhì)層的一側(cè)；第一電阻層形成在調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離介質(zhì)層的一側(cè)，調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離介質(zhì)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域設(shè)置有第一凸起結(jié)構(gòu)，以使第一電阻層靠近調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離調(diào)節(jié)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域形成第二凸起結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)電層形成在第一電阻層遠(yuǎn)離調(diào)節(jié)層的一側(cè)。第二凸起結(jié)構(gòu)的存在，增大了第一電阻層的截面積，提高了第一電阻層的載流量，進(jìn)而提高了第一電阻層的耐ESD性能，提高了埋入式電阻的抗靜電擊穿性能。此外，通過改變調(diào)節(jié)層的第一凸起結(jié)構(gòu)，調(diào)節(jié)第一電阻層的形貌和粗糙度，可以對(duì)埋入式電阻的產(chǎn)品性能進(jìn)行精確調(diào)節(jié)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及復(fù)合金屬箔技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合金屬箔及線路板。

背景技術(shù)

隨著無線通訊和電子設(shè)備的高速發(fā)展，電子設(shè)備朝著精密化、小型化和輕薄化演化，因此，要求電子設(shè)備內(nèi)部的元器件的尺寸要盡可能的向小型化、輕薄化發(fā)展。

電子設(shè)備內(nèi)部的電阻元件由之前的帶針腳的插接電阻，到貼片電阻，再到埋入式電阻，逐漸向輕薄化發(fā)展。埋入式電阻的制備過程大致如下：將復(fù)合金屬箔貼附電路板上，通過刻蝕工藝刻蝕出埋入式電阻。

埋入式電阻的應(yīng)用終端電子產(chǎn)品內(nèi)部的電路板上集成有眾多埋入式電阻，而電路對(duì)靜電高壓相當(dāng)敏感，當(dāng)帶靜電的人或物體接觸到這些埋入式電阻時(shí)，會(huì)產(chǎn)生靜電釋放，當(dāng)靜電高壓沖擊電路后，容易被靜電高壓擊穿，從而使得埋入式電阻功能失效。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)目的在于：提供復(fù)合金屬箔，能夠提高第一電阻層的載流量，進(jìn)而提高第一電阻層的耐ESD(Electro-Static Discharge，靜電釋放)性能，進(jìn)而提高埋入式電阻的抗靜電擊穿性能。

本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)目的在于：提供一種線路板，包括本發(fā)明實(shí)施例提供的復(fù)合金屬箔。

為達(dá)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種復(fù)合金屬箔，包括：介質(zhì)層、調(diào)節(jié)層、第一電阻層和第一導(dǎo)電層；

所述調(diào)節(jié)層設(shè)置在所述介質(zhì)層的一側(cè)；

所述第一電阻層形成在所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)；

所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域設(shè)置有第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域形成第二凸起結(jié)構(gòu)；

所述第一導(dǎo)電層形成在所述第一電阻層遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)。

可選的，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Rz的范圍均為0.1μm-30μm。

可選的，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Sdr的范圍均為大于或等于0.5％。

可選的，所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的全部區(qū)域均設(shè)置有第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的全部區(qū)域均形成第二凸起結(jié)構(gòu)。

可選的，所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域設(shè)置有多個(gè)連續(xù)的第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域形成多個(gè)連續(xù)的第二凸起結(jié)構(gòu)。

可選的，所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的全部區(qū)域均設(shè)置有多個(gè)連續(xù)的第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的全部區(qū)域均形成多個(gè)連續(xù)的第二凸起結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的全部區(qū)域均形成連續(xù)的第二凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層形成連續(xù)的波浪起伏結(jié)構(gòu)。