[發(fā)明專利]一種復(fù)合金屬箔及線路板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011307443.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN114554686A | 公開（公告）日： | 2022-05-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 蘇陟 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H05K1/16 | 分類號(hào)： | H05K1/16;H05K1/02 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 510660 廣東省廣州市高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 復(fù)合 金屬 線路板 | ||
1.一種復(fù)合金屬箔，其特征在于，包括：介質(zhì)層、調(diào)節(jié)層、第一電阻層和第一導(dǎo)電層；
所述調(diào)節(jié)層設(shè)置在所述介質(zhì)層的一側(cè)；
所述第一電阻層形成在所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)；
所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域設(shè)置有第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域形成第二凸起結(jié)構(gòu)；
所述第一導(dǎo)電層形成在所述第一電阻層遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Rz的范圍均為0.1μm-30μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Sdr的范圍均為大于或等于0.5％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的全部區(qū)域均設(shè)置有所述第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的全部區(qū)域均形成所述第二凸起結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域設(shè)置有多個(gè)連續(xù)的所述第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的至少部分區(qū)域形成多個(gè)連續(xù)的所述第二凸起結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述調(diào)節(jié)層遠(yuǎn)離所述介質(zhì)層的一側(cè)的全部區(qū)域均設(shè)置有多個(gè)連續(xù)的所述第一凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的全部區(qū)域均形成多個(gè)連續(xù)的所述第二凸起結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的全部區(qū)域均形成連續(xù)的所述第二凸起結(jié)構(gòu)，以使所述第一電阻層形成連續(xù)的波浪起伏結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Rz的范圍均為0.1μm-10μm，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Sdr的范圍均為大于或等于20％。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Rz的范圍均為0.1μm-10μm，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Sdr的范圍均為大于或等于50％。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Rz的范圍均為0.1μm-10μm，所述第一電阻層靠近所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)和遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)的粗糙度Sdr的范圍均為大于或等于200％。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述介質(zhì)層遠(yuǎn)離所述調(diào)節(jié)層的一側(cè)設(shè)置有第二電阻層和第二導(dǎo)電層，所述第二電阻層位于所述介質(zhì)層與所述第二導(dǎo)電層之間。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層的材質(zhì)包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦中的至少一種單質(zhì)金屬，和/或包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦、硅、磷、鋁中至少兩種組合的合金。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的復(fù)合金屬箔，其特征在于，所述第一電阻層為單層結(jié)構(gòu)或至少兩層結(jié)構(gòu)。
14.一種線路板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-13任一所述的復(fù)合金屬箔。
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