[發(fā)明專利]埋阻金屬箔在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011304670.4 | 申請日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN114521050A | 公開（公告）日： | 2022-05-20 |
| 發(fā)明（設計）人： | 蘇陟;高強 | 申請（專利權）人： | 廣州方邦電子股份有限公司;珠海達創(chuàng)電子有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/16 | 分類號： | H05K1/16;H05K1/11 |
| 代理公司： | 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 麥小嬋;郝傳鑫 |
| 地址： | 510530 廣東省廣州市廣州高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 | ||
1.一種埋阻金屬箔，其特征在于，包括導電層、至少兩層電阻層以及多個導電凸起；所述導電層與至少兩層所述電阻層依次層疊設置；
多個所述導電凸起間隔分布于至少兩層所述電阻層中靠近所述導電層的電阻層的一面或者分布于導電層靠近電阻層的一面上，且所述導電層覆蓋多個所述導電凸起；其中，每一所述電阻層的電阻率均不同。
2.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，多個所述導電凸起為第一金屬顆粒和/或由多個第二金屬顆粒組成的顆粒團簇。
3.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，多個所述導電凸起均勻分布在所述電阻層或導電層上。
4.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電凸起的高度為0.5微米至20微米。
5.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述電阻層包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦中的任意一種金屬，或者包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦、硅、磷中至少兩種組合的合金。
6.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述電阻層的厚度為20～200nm。
7.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層的導電率為任意一層所述電阻層的2～1000倍。
8.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層的厚度為2微米至20微米。
9.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層包括鋁、銀、銅、金中的任意一種或多種。
10.如權利要求1～9任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述埋阻金屬箔還包括載體介質，所述導電層、所述至少兩層電阻層和所述載體介質依次層疊設置。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州方邦電子股份有限公司;珠海達創(chuàng)電子有限公司，未經(jīng)廣州方邦電子股份有限公司;珠海達創(chuàng)電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權和技術合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011304670.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
