[發明專利]一種內部補償電路及其控制方法在審
| 申請號: | 202011304592.8 | 申請日: | 2020-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN112382233A | 公開(公告)日: | 2021-02-19 |
| 發明(設計)人: | 賈浩 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3208 | 分類號: | G09G3/3208;G09G3/3266 |
| 代理公司: | 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 唐燕玲 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 內部 補償 電路 及其 控制 方法 | ||
本發明涉及顯示器補償電路技術領域,特別涉及一種內部補償電路及其控制方法,包括晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、電容C1、電容C2和發光二極管OLED,晶體管T3、晶體管T4和晶體管T6均為多晶硅薄膜晶體管且均設置于基板與介質層之間,晶體管T1、晶體管T2和晶體管T5均為氧化物薄膜晶體管且均設置于介質層上方,這樣設計的內部補償電路可補償Vth漂移,改善了由Vth漂移引發的不良問題;這樣設計的補償電路架構可減少Pixel所占面積,增加解析度,提高PPI,改善顯示效果。
技術領域
本發明涉及顯示器補償電路技術領域,特別涉及一種內部補償電路及其控制方法。
背景技術
當今科技發展,人們生活水平進步,對顯示器的面板要求變得更高,需要面板廠商進一步提升顯示器的顯示質量,要提高顯示器的質量,提高解析度是關鍵,為了在有限的空間內盡可能做高解析度,需要每個Pixel(像素)所占面積更??;對于OLED(英文全稱為Organic Light Emitting Diode,有機發光二極管)面板來說,面內2T1C(兩個TFT和一個電容)Pixel電路會受到Vth(閾值電壓)漂移的影響導致面板發光亮度不均勻,影像顯示效果,補償電路可提升面板顯示效果,而為了達到更好的補償效果,補償電路會有多個TFT(英文全稱為Thin Film Transistor,薄膜場效應晶體管),但是TFT過多會使Pixel所占面積增大,進而導致面板容納的Pixel數量減少,即解析度變低,無法滿足高解析度的要求。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:提供一種內部補償電路及其控制方法。
為了解決上述技術問題,本發明采用的第一種技術方案為:
一種內部補償電路,包括晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、電容C1、電容C2和發光二極管OLED,所述晶體管T3、晶體管T4和晶體管T6均為多晶硅薄膜晶體管且均設置于基板與介質層之間,所述晶體管T1、晶體管T2和晶體管T5均為氧化物薄膜晶體管且均設置于介質層上方;
所述晶體管T1的柵極接第一掃描信號,所述晶體管T1的源極接數據信號,所述晶體管T1的漏極分別與電容C1的一端和晶體管T2的源極電連接,所述晶體管T2的柵極接第二掃描信號,所述晶體管T2的漏極分別與晶體管T3的源極和電容C2的一端電連接,所述晶體管T3的柵極接第三掃描信號,所述晶體管T3的漏極分別與晶體管T4的柵極和晶體管T5的源極電連接,所述晶體管T4的漏極接電源信號,所述晶體管T4的源極分別與晶體管T6的源極和電容C2的另一端電連接,所述晶體管T5的柵極接第二掃描信號,所述晶體管T6的漏極與發光二極管OLED的陽極電連接,所述晶體管T6的柵極接第二掃描信號。
本發明采用的第二種技術方案為:
一種內部補償電路的控制方法,包括以下步驟:
步驟S1、在第一時間段,控制晶體管T1的柵極輸入低電平,控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入高電平;
步驟S2、在第二時間段,控制晶體管T1的柵極和晶體管T3的柵極均輸入高電平,控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入高電平;
步驟S3、在第三時間段,控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入低電平;
步驟S4、在第四時間段,控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入高電平,控制晶體管T3的柵極輸入高電平;所述第一時間段、第二時間段、第三時間段和第四時間段為依次連續的時間段。
本發明的有益效果在于:
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