[發明專利]一種內部補償電路及其控制方法

在審

• 申請號: 202011304592.8
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112382233A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 賈浩
• 申請（專利權）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: G09G3/3208
• 分類號: G09G3/3208;G09G3/3266
• 代理公司: 福州市博深專利事務所(普通合伙) 35214
• 代理人: 唐燕玲

1.一種內部補償電路，其特征在于，包括晶體管T1、晶體管T2、晶體管T3、晶體管T4、晶體管T5、晶體管T6、電容C1、電容C2和發光二極管OLED，所述晶體管T3、晶體管T4和晶體管T6均為多晶硅薄膜晶體管且均設置于基板與介質層之間，所述晶體管T1、晶體管T2和晶體管T5均為氧化物薄膜晶體管且均設置于介質層上方；

所述晶體管T1的柵極接第一掃描信號，所述晶體管T1的源極接數據信號，所述晶體管T1的漏極分別與電容C1的一端和晶體管T2的源極電連接，所述晶體管T2的柵極接第二掃描信號，所述晶體管T2的漏極分別與晶體管T3的源極和電容C2的一端電連接，所述晶體管T3的柵極接第三掃描信號，所述晶體管T3的漏極分別與晶體管T4的柵極和晶體管T5的源極電連接，所述晶體管T4的漏極接電源信號，所述晶體管T4的源極分別與晶體管T6的源極和電容C2的另一端電連接，所述晶體管T5的柵極接第二掃描信號，所述晶體管T6的漏極與發光二極管OLED的陽極電連接，所述晶體管T6的柵極接第二掃描信號。

2.根據權利要求1所述的內部補償電路，其特征在于，所述電容C1設置于介質層上方。

3.根據權利要求1所述的內部補償電路，其特征在于，所述電容C2設置于基板與介質層之間。

4.根據權利要求1所述的內部補償電路，其特征在于，還包括穿透介質層的第一連接線和第二連接線，所述晶體管T2的漏極與晶體管T3的漏極之間通過第一連接線連接，所述晶體管T5的源極與晶體管T3的漏極之間均第二連接線連接。

5.一種根據權利要求1所述的內部補償電路的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1、在第一時間段，控制晶體管T1的柵極輸入低電平，控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入高電平；

步驟S2、在第二時間段，控制晶體管T1的柵極和晶體管T3的柵極均輸入高電平，控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入高電平；

步驟S3、在第三時間段，控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入低電平；

步驟S4、在第四時間段，控制晶體管T2的柵極、晶體管T5的柵極和晶體管T6的柵極均輸入高電平，控制晶體管T3的柵極輸入高電平；所述第一時間段、第二時間段、第三時間段和第四時間段為依次連續的時間段。