[發(fā)明專利]半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011303686.3
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN114518369A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金炳喆;曲揚
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類號: G01N23/00
• 分類號: G01N23/00
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 李晶

1.一種半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備包括：

第一光源發(fā)射器，所述第一光源發(fā)射器用于發(fā)射光束；

光源分光鏡，所述光源分光鏡用于將所述第一光源發(fā)射器發(fā)射的光束分成至少兩束光束，以使其中一束光束照射到晶圓的上表面且其余光束與所述其中一束光束的傳播方向不同；

至少兩個第一光源折射鏡，所述第一光源折射鏡用于將所述其余光束折射到所述晶圓的側(cè)面；

信號接收器，所述信號接收器至少為兩個，其中一個所述信號接收器用于接收所述晶圓的上表面的反射光源，其余所述信號接收器用于接收所述晶圓的側(cè)面的反射光源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述其余光束的數(shù)量為多束，當(dāng)所述晶圓置于所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備中時，多束所述其余光束分別通過多個第一光源折射鏡沿所述晶圓的周向折射到所述晶圓的側(cè)面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述其余光束的數(shù)量為一束，當(dāng)所述晶圓置于所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備中時，一束所述其余光束通過第一光源折射鏡折射到所述晶圓的側(cè)面，所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備還包括卡盤，所述卡盤用于放置所述晶圓，所述卡盤為可轉(zhuǎn)動式卡盤。

4.一種半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備包括：

第二光源發(fā)射器，所述第二光源發(fā)射器用于發(fā)射光束至晶圓的上表面；

第三光源發(fā)射器，所述第三光源發(fā)射器用于發(fā)射光束至所述晶圓的側(cè)面；

信號接收器，所述信號接收器至少為兩個，其中一個所述信號接收器用于接收所述晶圓的上表面的反射光源，其余所述信號接收器用于接收所述晶圓的側(cè)面的反射光源。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述第三光源發(fā)射器的數(shù)量為多個，當(dāng)所述晶圓置于所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備中時，多個第三光源發(fā)射器沿所述晶圓的周向設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述第三光源發(fā)射器的數(shù)量為一個，當(dāng)所述晶圓置于所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備中時，一個所述第三光源發(fā)射器對應(yīng)所述晶圓的側(cè)面設(shè)置，所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備還包括卡盤，所述卡盤用于放置所述晶圓，所述卡盤為可轉(zhuǎn)動式卡盤。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備還包括第二光源折射鏡，所述第二光源折射鏡用于將所述第二光源發(fā)射器發(fā)射的光束折射到所述晶圓的上表面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備還包括圖像處理器，所述圖像處理器與所述信號接收器電連接，所述圖像處理器用于處理所述信號接收器獲取的信號。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述光源分光鏡、所述第一光源折射鏡或所述第二光源折射鏡的角度均可以調(diào)整。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的半導(dǎo)體缺陷檢測設(shè)備，其特征在于，所述第一光源發(fā)射器、所述第二光源發(fā)射器或所述第三光源發(fā)射器均可以發(fā)射不同波長的光源。