[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011303686.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114518369A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金炳喆;曲揚(yáng)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;真芯（北京）半導(dǎo)體有限責(zé)任公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01N23/00
• 分類(lèi)號(hào): G01N23/00
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 李晶

本發(fā)明具體涉及一種半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備，所述半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備包括：第一光源發(fā)射器，所述第一光源發(fā)射器用于發(fā)射光束；光源分光鏡，所述光源分光鏡用于將所述第一光源發(fā)射器發(fā)射的光束分成至少兩束光束，以使其中一束光束照射到晶圓的上表面且其余光束與所述其中一束光束的傳播方向不同；至少兩個(gè)第一光源折射鏡，所述第一光源折射鏡用于將所述其余光束折射到所述晶圓的側(cè)面；信號(hào)接收器，所述信號(hào)接收器至少為兩個(gè)，其中一個(gè)所述信號(hào)接收器用于接收所述晶圓的上表面的反射光源，其余所述信號(hào)接收器用于接收所述晶圓的側(cè)面的反射光源。本發(fā)明的缺陷檢測(cè)設(shè)備，無(wú)需翻轉(zhuǎn)晶圓可得到晶圓上表面及側(cè)面的缺陷數(shù)據(jù)，以減少檢測(cè)時(shí)間，提高生產(chǎn)率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備。

背景技術(shù)

本部分提供的僅僅是與本公開(kāi)相關(guān)的背景信息，其并不必然是現(xiàn)有技術(shù)。

半導(dǎo)體晶圓在經(jīng)過(guò)多道加工工藝之后，需要對(duì)加工后的晶圓進(jìn)行參數(shù)測(cè)量，以保證晶圓滿足客戶(hù)要求。晶圓大多采用缺陷檢測(cè)設(shè)備對(duì)其表面及側(cè)面的缺陷進(jìn)行測(cè)量，現(xiàn)有的晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備通常僅能對(duì)晶圓的單一面進(jìn)行缺陷檢測(cè)，將獲得的晶圓的多個(gè)面的缺陷數(shù)據(jù)分別對(duì)比，得到整個(gè)晶圓的缺陷位置，但在多個(gè)面進(jìn)行缺陷獲取需要翻轉(zhuǎn)晶圓，晶圓翻轉(zhuǎn)之后還需進(jìn)行位置校正，另外，將多個(gè)面的缺陷數(shù)據(jù)進(jìn)行對(duì)比使用的時(shí)間較長(zhǎng)，耗時(shí)耗力，降低了生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備，所述半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備包括：第一光源發(fā)射器，所述第一光源發(fā)射器用于發(fā)射光束；光源分光鏡，所述光源分光鏡用于將所述第一光源發(fā)射器發(fā)射的光束分成至少兩束光束，以使其中一束光束照射到晶圓的上表面且其余光束與所述其中一束光束的傳播方向不同；至少兩個(gè)第一光源折射鏡，所述第一光源折射鏡用于將所述其余光束折射到所述晶圓的側(cè)面；信號(hào)接收器，所述信號(hào)接收器至少為兩個(gè)，其中一個(gè)所述信號(hào)接收器用于接收所述晶圓的上表面的反射光源，其余所述信號(hào)接收器用于接收所述晶圓的側(cè)面的反射光源。

附圖說(shuō)明

通過(guò)閱讀下文具體實(shí)施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出具體實(shí)施方式的目的，而并不認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明的限制。而且在整個(gè)附圖中，用相同的附圖標(biāo)記表示相同的部件。其中：

圖1為本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記：

100：半導(dǎo)體缺陷檢測(cè)設(shè)備；

10：第一光源發(fā)射器；

20：光源分光鏡；

30：第一光源折射鏡；

40：信號(hào)接收器；

50：第二光源發(fā)射器；

60：第三光源發(fā)射器；

70：卡盤(pán)；

80：第二光源折射鏡；

90：透鏡；

110：第三折射鏡；

200：晶圓。

具體實(shí)施方式

以下，將參照附圖來(lái)描述本公開(kāi)的實(shí)施方式。但是應(yīng)該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本公開(kāi)的范圍。此外，在以下說(shuō)明中，省略了對(duì)公知結(jié)構(gòu)和技術(shù)的描述，以避免不必要地混淆本公開(kāi)的概念。