[發明專利]成型的脫氫催化劑和使用其將鏈烷烴轉化為相應烯烴的方法在審
| 申請號: | 202011303634.6 | 申請日: | 2020-11-19 |
| 公開(公告)號: | CN112823882A | 公開(公告)日: | 2021-05-21 |
| 發明(設計)人: | 李鎬元;任柱煥;金希洙;樸惠真;林制美;秋大賢 | 申請(專利權)人: | SK新技術株式會社;SK綜合化學株式會社 |
| 主分類號: | B01J23/78 | 分類號: | B01J23/78;C07C5/333;C07C11/06 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 孫永梅;安玉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 成型 脫氫 催化劑 使用 烷烴 轉化 相應 烯烴 方法 | ||
1.一種制備鈷基成型單原子催化劑的方法,所述方法包括以下步驟:
將二氧化硅粘合劑和載體材料用二氧化硅粉體在水性介質中混合以制備成型糊料;
將所述糊料成型為二氧化硅基成型載體;
使所述二氧化硅基成型載體與堿金屬鹽在水性介質中接觸以形成經堿金屬處理的二氧化硅基成型載體,在此之前或之后用堿進行pH調節,其中至少一部分堿金屬離子被靜電吸附在所述二氧化硅基成型載體的表面上;
使所述經堿金屬處理的二氧化硅基成型載體與第一鈷前體的水性溶液接觸,以形成第一含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體,通過向第一鈷前體的水性溶液添加堿來調節其pH值,其中所述第一鈷前體的氧化數為3+,其中氧化數為3+的鈷離子中的至少一部分被靜電吸附在所述經堿金屬處理的二氧化硅基成型載體上;以及
對所述第一含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體進行熱處理,
由此氧化數為2+的鈷和氧化數為1+的堿金屬分別以孤立的單原子形式存在于所述二氧化硅基成型載體上,并且氧化數為2+的鈷在三元硅氧烷環上以四面體配位,所述三元硅氧烷環存在于所述二氧化硅基成型載體的表面上。
2.一種制備鈷基成型單原子催化劑的方法,所述方法包括以下步驟:
將二氧化硅粘合劑和載體材料用二氧化硅粉末在水性介質中混合以制備成型糊料;
將所述糊料成型為二氧化硅基成型載體;
使所述二氧化硅基成型載體與堿金屬鹽在水性介質中接觸以形成經堿金屬處理的二氧化硅基成型載體,在此之前或之后用堿進行pH調節,其中至少一部分堿金屬離子被靜電吸附在所述二氧化硅基成型載體的表面上;
使所述經堿金屬處理的二氧化硅基成型載體與第一鈷前體的水性溶液接觸,以形成第一含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體,通過向所述第一鈷前體的水性溶液添加堿來調節其pH值,其中所述第一鈷前體的氧化數為3+,其中氧化數為3+的鈷離子中的至少一部分被靜電吸附在所述經堿金屬處理的二氧化硅基成型載體上;
使所述第一含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體與第二鈷前體的水性溶液接觸,以形成第二含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體,通過向所述第二鈷前體的水性溶液中添加堿來調節其pH,所述第二鈷前體的氧化數為3+;
對所述第二含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體進行熱處理,
由此氧化數為2+的鈷和氧化數為1+的堿金屬分別以孤立的單原子形式存在于所述二氧化硅基成型載體上,并且氧化數為2+的鈷在三元硅氧烷環上以四面體配位,所述三元硅氧烷環存在于所述二氧化硅基成型載體的表面上。
3.根據權利要求2所述的方法,其還包括在形成所述第二含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體的步驟之前,對所述第一含鈷和堿金屬的二氧化硅基成型載體進行熱處理的步驟。
4.根據權利要求1或2所述的方法,其中所述載體材料用二氧化硅粉末是無定形二氧化硅。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述無定形二氧化硅包括濕法(水合)二氧化硅。
6.根據權利要求1或2所述的方法,其中所述二氧化硅粘合劑是膠體二氧化硅。
7.根據權利要求1或2所述的方法,其中所述二氧化硅粘合劑與所述載體材料用二氧化硅粉末的重量比為1:0.1至1:10。
8.根據權利要求1或2所述的方法,其中,制備成型糊料的步驟包括:
制備(i)含二氧化硅粘合劑的潤滑劑乳液或(ii)含二氧化硅粘合劑的水分散體;和
將所述含二氧化硅粘合劑的潤滑劑乳液或所述含二氧化硅粘合劑的水分散體與載體材料用二氧化硅粉末混合,
其中所述含二氧化硅粘合劑的潤滑劑乳液或所述含二氧化硅粘合劑的水分散體以10-60重量%的含量包含二氧化硅粘合劑。
9.根據權利要求8所述的方法,其中,所述含二氧化硅粘合劑的潤滑劑乳液以0.1-20重量%的含量包含潤滑劑。
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