[發明專利]測試SRAM的方法、裝置、計算機設備及存儲介質

在審

• 申請號: 202011302401.4
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112420117A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 李湘錦;張鵬;郭芳芳
• 申請（專利權）人: 深圳憶聯信息系統有限公司
• 主分類號: G11C29/38
• 分類號: G11C29/38;G11C29/34
• 代理公司: 深圳市精英專利事務所 44242
• 代理人: 曹祥波

本發明涉及測試SRAM的方法、裝置、計算機設備及存儲介質；其中，方法，包括：對待測試的內存進行標識，生成測試數據；對待測試的內存進行讀操作，獲取讀數據；將測試數據與讀數據進行比較測試，獲取比較測試結果，并輸出比較測試結果至待測試的內存。本發明支持在運行真實應用場景的時候，同時測試相關的SRAM，用于支持檢測一些極端環境引發的問題，能夠迅速排查是否是SRAM失效引起的，也可以用于工藝角在實際應用場景中可能帶來的問題，能夠使mbist測試更健壯，實際使用靈活，能夠更好地滿足需求。

技術領域

本發明涉及SRAM測試技術領域，更具體地說是指測試SRAM的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。

背景技術

固態硬盤的SOC芯片，里面用到了大量的SRAM(靜態隨機存取存儲器),因為SRAM的結構特殊性(單元多，單元規整)，一般會通過mbis t(存儲器測試)技術，用來篩選芯片生產制造過程中的偏差引起的正常功能的偏差。

目前mbis t測試技術，就是利用能夠產生偽隨機測試向量的電路去測試SRAM，不涉及SRAM的邏輯都不會運轉，缺點是不具備真實的應用場景的環境，無法檢測bist PASS，真實場景下內存出現錯誤的問題，因此，無法滿足需求。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺陷，提供測試SRAM的方法、裝置、計算機設備及存儲介質。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

測試SRAM的方法，包括以下步驟：

對待測試的內存進行標識，生成測試數據；

對待測試的內存進行讀操作，獲取讀數據；

將測試數據與讀數據進行比較測試，獲取比較測試結果，并輸出比較測試結果至待測試的內存。

其進一步技術方案為：所述步驟對待測試的內存進行標識，生成測試數據中，通過bist控制器對待測試的內存進行標識，并根據待測試的內存的類型生成相對應的測試數據。

其進一步技術方案為：所述步驟將測試數據與讀數據進行比較測試，獲取比較測試結果，并輸出比較測試結果至待測試的內存中，通過bist控制器將測試數據與讀數據進行比較測試，若測試數據與讀數據比較測試一致，則比較測試結果為成功；若測試數據與讀數據比較測試不一致，則比較測試結果為失敗。

其進一步技術方案為：所述步驟將測試數據與讀數據進行比較測試，獲取比較測試結果，并輸出比較測試結果至待測試的內存之后，還包括：對待測試的內存的比較測試結果進行保存和解析。

測試SRAM的裝置，包括：標識生成單元，讀獲取單元，及測試獲取輸出單元；

所述標識生成單元，用于對待測試的內存進行標識，生成測試數據；

所述讀獲取單元，用于對待測試的內存進行讀操作，獲取讀數據；

所述測試獲取輸出單元，用于將測試數據與讀數據進行比較測試，獲取比較測試結果，并輸出比較測試結果至待測試的內存。

其進一步技術方案為：所述標識生成單元中，通過bist控制器對待測試的內存進行標識，并根據待測試的內存的類型生成相對應的測試數據。

其進一步技術方案為：所述測試獲取輸出單元中，通過bist控制器將測試數據與讀數據進行比較測試，若測試數據與讀數據比較測試一致，則比較測試結果為成功；若測試數據與讀數據比較測試不一致，則比較測試結果為失敗。

其進一步技術方案為：還包括：保存解析單元，用于對待測試的內存的比較測試結果進行保存和解析。