[發(fā)明專利]套件、及使用該套件的第三層疊體的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011302234.3
• 申請(qǐng)日: 2020-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112825305A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山本大輔;古野健太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 琳得科株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;B32B7/06;B32B7/12;B32B27/06;B32B33/00
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 張晶;敖蓮

本發(fā)明提供一種具備第一層疊體(5)和支撐片(10)的套件(1)，所述第一層疊體(5)中依次層疊有第一剝離膜(151)、保護(hù)膜形成膜(13)及第二剝離膜(152)，所述保護(hù)膜形成膜(13)在23℃下的斷裂伸長(zhǎng)率大于700％。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種套件(kit)、及使用該套件的第三層疊體的制造方法。本申請(qǐng)基于2019年11月21日于日本提出申請(qǐng)的日本特愿2019-210862主張優(yōu)先權(quán)，并將其內(nèi)容援用于此。

詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及一種套件及將該套件用于在線工藝(in-line process)的第三層疊體的制造方法，該套件具備依次層疊有第一剝離膜、保護(hù)膜形成膜及第二剝離膜的第一層疊體、以及用于支撐作為所述保護(hù)膜形成膜的保護(hù)對(duì)象的半導(dǎo)體晶圓等工件和所述保護(hù)膜形成膜的支撐片，所述第三層疊體中依次層疊有工件、所述保護(hù)膜形成膜及所述支撐片。

此處，所謂“在線工藝”，是指“在將多個(gè)(多臺(tái))進(jìn)行一道或多道工序的裝置連接而成的裝置內(nèi)、或同一個(gè)裝置內(nèi)進(jìn)行的工藝，包括多道工序和將該多道工序中的工序與工序連接的搬送，在一道工序與下一道工序之間，將工件一片一片地進(jìn)行搬送的”工藝。

背景技術(shù)

近年來(lái)，正在進(jìn)行應(yīng)用了被稱作倒裝(face down)方式的安裝法的半導(dǎo)體裝置的制造。在倒裝方式中，使用有在電路面上具有凸塊等電極的半導(dǎo)體芯片，并且所述電極與基板接合。因此，半導(dǎo)體芯片的與電路面為相反側(cè)的背面有時(shí)會(huì)露出。

在該露出的半導(dǎo)體芯片的背面形成有作為保護(hù)膜的包含有機(jī)材料的樹(shù)脂膜，有時(shí)會(huì)作為帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片而被組裝至半導(dǎo)體裝置中。保護(hù)膜被用于防止在切割工序或封裝(package)后在半導(dǎo)體芯片上產(chǎn)生裂紋(例如，專利文獻(xiàn)1～4)。

這樣的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片可經(jīng)過(guò)例如圖5所示的工序而制造。即，已知一種方法：其在具有電路面的半導(dǎo)體晶圓8的背面8b上層疊保護(hù)膜形成膜13(圖5中的A)，使保護(hù)膜形成膜13熱固化或能量射線固化而制成保護(hù)膜13’(圖5中的B)，在保護(hù)膜13’上層疊支撐片10(圖5中的D)，對(duì)半導(dǎo)體晶圓8及保護(hù)膜13’進(jìn)行切割，制成帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片7(圖5中的E及圖5中的F)，從支撐片10上拾取帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片7(圖5中的G)。此處，圖5中A中在半導(dǎo)體晶圓8的背面8b上貼附保護(hù)膜形成膜13的裝置、與圖5中D中在保護(hù)膜13’上貼附支撐片10的裝置，會(huì)利用分開(kāi)的裝置運(yùn)行。

此外，保護(hù)膜形成膜13及支撐片10一體化而成的保護(hù)膜形成用復(fù)合片被用于帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的制造(例如，專利文獻(xiàn)2、3、4)。

使用保護(hù)膜形成用復(fù)合片的帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片的制造方法例如經(jīng)過(guò)圖6所示的工序。即，已知一種方法：其在具有電路面的半導(dǎo)體晶圓8的背面8b上貼附由保護(hù)膜形成膜13及支撐片10層疊而成的保護(hù)膜形成用復(fù)合片3的保護(hù)膜形成膜13(圖6中的A)，剝離背磨膠帶17(圖6中的B)，使保護(hù)膜形成膜13熱固化或能量射線固化而制成保護(hù)膜13’(圖6中的C)，對(duì)半導(dǎo)體晶圓8及保護(hù)膜13’進(jìn)行切割，從而制成帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片7(圖6中的E及圖6中的F)，從支撐片10上拾取帶保護(hù)膜的半導(dǎo)體芯片7(圖6中的G)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本專利第4271597號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開(kāi)第2014/157426號(hào)

專利文獻(xiàn)3：日本專利第5363662號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)4：日本特開(kāi)2016-225496號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題