[發(fā)明專利]使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011301401.2
• 申請(qǐng)日: 2020-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN113012747B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·S·雷赫邁耶;C·G·維杜威特;G·B·雷德;S·艾克邁爾;D·甘斯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C29/18
• 分類號(hào): G11C29/18;G11C29/42;G11C29/44
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

本標(biāo)的物涉及使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾。測(cè)試裝置可檢測(cè)存儲(chǔ)器陣列的第一列平面中的第一錯(cuò)誤及所述存儲(chǔ)器陣列的第二列平面中的第二錯(cuò)誤。所述測(cè)試裝置可基于檢測(cè)到所述第一錯(cuò)誤及所述第二錯(cuò)誤來識(shí)別與所述第一錯(cuò)誤相關(guān)聯(lián)的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址。所述測(cè)試裝置可對(duì)于所述第一列平面確定用于將所述第一列平面的列地址加擾到所述第一列平面的不同列地址的配置。在一些情況下，所述測(cè)試裝置可執(zhí)行與所述第一列平面相關(guān)聯(lián)的熔絲的熔絲熔斷以實(shí)施所述經(jīng)確定配置。

交叉參考

本專利申請(qǐng)案主張Rehmeyer等人在2019年12月20日申請(qǐng)、標(biāo)題為“使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾(ADJUSTABLE COLUMN ADDRESS SCRAMBLE USING FUSES)”的第16/723,532號(hào)美國專利申請(qǐng)案的優(yōu)先權(quán)，所述申請(qǐng)案已轉(zhuǎn)讓給其受讓人且其全文以引用方式明確地并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

技術(shù)領(lǐng)域涉及使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾。

背景技術(shù)

下文大體上涉及一或多個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)且更具體來說涉及使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾。

存儲(chǔ)器裝置廣泛用于將信息存儲(chǔ)在各種電子裝置中，例如計(jì)算機(jī)、無線通信裝置、相機(jī)、數(shù)字顯示器等。通過將存儲(chǔ)器裝置內(nèi)的存儲(chǔ)器單元編程到各種狀態(tài)來存儲(chǔ)信息。例如，二進(jìn)制存儲(chǔ)器單元可經(jīng)編程到兩種支持狀態(tài)中的一者，通常由邏輯1或邏輯0來表示。在一些實(shí)例中，單個(gè)存儲(chǔ)器單元可支持兩種以上狀態(tài)，其中的任一者可被存儲(chǔ)。為了存取經(jīng)存儲(chǔ)信息，組件可讀取或感測(cè)存儲(chǔ)器裝置中的至少一種經(jīng)存儲(chǔ)狀態(tài)。為了存儲(chǔ)信息，組件可將狀態(tài)寫入或編程在存儲(chǔ)器裝置中。

存在各種類型的存儲(chǔ)器裝置及存儲(chǔ)器單元，包含磁性硬盤、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)、同步動(dòng)態(tài)RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)、快閃存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器(PCM)、自選存儲(chǔ)器、硫族化物存儲(chǔ)器技術(shù)等。存儲(chǔ)器單元可為易失性或非易失性的。非易失性存儲(chǔ)器(例如，F(xiàn)eRAM)可甚至在不存在外部電源的情況下維持其經(jīng)存儲(chǔ)邏輯狀態(tài)達(dá)延長時(shí)段。易失性存儲(chǔ)器裝置(例如，DRAM)可在與外部電源斷開連接時(shí)丟失其經(jīng)存儲(chǔ)狀態(tài)。

發(fā)明內(nèi)容

描述一種方法。所述方法可包含：檢測(cè)存儲(chǔ)器陣列的第一列平面中的第一錯(cuò)誤及所述存儲(chǔ)器陣列的第二列平面中的第二錯(cuò)誤；至少部分地基于檢測(cè)到所述第一錯(cuò)誤及所述第二錯(cuò)誤來識(shí)別與所述第一錯(cuò)誤相關(guān)聯(lián)的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址；對(duì)于所述第一列平面，至少部分地基于識(shí)別所述第一列地址及所述第二列地址來確定用于將所述第一列平面的列地址加擾到所述第一列平面的不同列地址的配置；及至少部分地基于確定所述配置來執(zhí)行與所述第一列平面相關(guān)聯(lián)的熔絲的熔絲熔斷以實(shí)施所述經(jīng)確定配置。

描述一種設(shè)備。所述設(shè)備可包含：存儲(chǔ)器陣列，其包括各自包括多個(gè)列的一或多個(gè)列平面；列地址解碼器，其經(jīng)配置以至少部分地基于輸入到所述列地址解碼器中的地址來在存取操作期間存取列平面的列；及一或多個(gè)熔絲，其與所述列地址解碼器的輸入耦合且用于實(shí)施用來當(dāng)所述一或多個(gè)熔絲中的至少一者被熔斷時(shí)將所述列平面的列地址加擾到所述列平面的不同列地址的配置。

描述一種方法。所述方法可包含：接收包括第一列平面的第一列地址的命令；至少部分地基于與加擾所述第一列平面的列地址相關(guān)聯(lián)的熔絲的狀態(tài)來加擾所述第一列地址；及至少部分地基于加擾所述第一列地址來存取與所述第一列地址不同的所述第一列平面的第二列地址。

附圖說明

圖1說明根據(jù)如本文中所揭示的實(shí)例的支持使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾的系統(tǒng)的實(shí)例。

圖2說明根據(jù)如本文中所揭示的實(shí)例的支持使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾的測(cè)試設(shè)置的實(shí)例。

圖3說明根據(jù)如本文中所揭示的實(shí)例的支持使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾的列修復(fù)區(qū)的實(shí)例。