[發(fā)明專利]使用熔絲的可調(diào)整列地址加擾

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011301401.2
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN113012747B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J·S·雷赫邁耶;C·G·維杜威特;G·B·雷德;S·艾克邁爾;D·甘斯
• 申請（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18;G11C29/42;G11C29/44
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種方法，其包括：

檢測存儲器陣列的第一列平面中的第一錯誤及所述存儲器陣列的第二列平面中的第二錯誤；

至少部分地基于檢測到所述第一錯誤及所述第二錯誤來識別與所述第一錯誤相關(guān)聯(lián)的所述第一列平面的第一列地址及所述第二列平面的第二列地址；

對于所述第一列平面，至少部分地基于識別出所述第一列地址及所述第二列地址來確定用于將所述第一列平面的列地址加擾到所述第一列平面的不同列地址的配置；及

至少部分地基于確定所述配置來執(zhí)行與所述第一列平面相關(guān)聯(lián)的熔絲的熔絲熔斷以實(shí)施所述經(jīng)確定配置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

至少部分地基于執(zhí)行所述熔絲熔斷來將所述第一列平面的所述列地址加擾到所述第一列平面的所述不同列地址，其中存取所述第一列平面的列至少部分地基于加擾所述列地址。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

至少部分地基于執(zhí)行所述熔絲熔斷來反轉(zhuǎn)所述第一列平面的所述第一列地址的至少一個位，其中存取所述第一列平面的列至少部分地基于反轉(zhuǎn)所述第一列平面的所述至少一個位。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

識別相關(guān)聯(lián)于所述第一錯誤的所述第一列地址與所述第二錯誤的所述第二列地址之間的沖突，其中確定所述配置至少部分地基于識別所述沖突。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其進(jìn)一步包括：

識別所述第一列平面中的所述第一列地址的索引與所述第二列平面中的所述第二列地址的索引相同，其中識別所述沖突至少部分地基于識別所述索引相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其進(jìn)一步包括：

確定所述第一錯誤或所述第二錯誤無法通過錯誤校正碼ECC來修復(fù)，其中確定所述配置至少部分地基于確定所述第一錯誤或所述第二錯誤無法通過所述ECC來修復(fù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

使用全局列修復(fù)組件激活一組熔絲以至少部分地基于執(zhí)行所述熔絲熔斷來修復(fù)所述存儲器陣列的所述第一列平面或所述存儲器陣列的所述第二列平面，其中所述組熔絲與所述熔絲不同。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

至少部分地基于檢測到所述第一列平面中的所述第一錯誤及所述第二列平面中的所述第二錯誤來生成所述存儲器陣列中的錯誤圖，其中確定所述配置至少部分地基于生成所述錯誤圖。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

至少部分地基于確定所述配置來識別所述熔絲以執(zhí)行所述熔絲熔斷，其中執(zhí)行所述熔絲熔斷至少部分地基于識別所述熔絲。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括：

至少部分地基于確定所述配置來將滿足所述熔絲的電壓閾值的電壓施加到所述熔絲，其中執(zhí)行所述熔絲熔斷至少部分地基于施加所述電壓。

11.一種設(shè)備，其包括：

存儲器陣列，其包括各自包括多個列的一或多個列平面；

列地址解碼器，其經(jīng)配置以在存取操作期間至少部分地基于輸入到所述列地址解碼器中的地址來存取列平面的列；

一或多個熔絲，其與所述列地址解碼器的輸入耦合且用于實(shí)施用來當(dāng)所述一或多個熔絲中的至少一者被熔斷時將所述列平面的列地址加擾到所述列平面的不同列地址的配置；及

熔絲可編程加擾器，其經(jīng)配置以確定用于將所述列平面的所述列地址加擾到所述列平面的所述不同列地址的所述配置。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述一或多個熔絲經(jīng)配置以當(dāng)所述一或多個熔絲中的至少一者被熔斷時加擾輸入到所述列地址解碼器中的所述地址的一或多個位。