[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011301297.7
• 申請(qǐng)日: 2020-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN114520194A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉志拯
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/8242
• 分類號(hào): H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 王歡;劉芳

本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供基底，基底具有相鄰設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域；在基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域中均形成多個(gè)溝槽，多個(gè)溝槽沿第一方向間隔排布。在溝槽中形成字線，第一區(qū)域的字線的特征尺寸不同于第二區(qū)域中的字線的特征尺寸。在特征尺寸較大的字線上形成接觸結(jié)構(gòu)。本發(fā)明能夠減小接觸結(jié)構(gòu)的設(shè)置難度，減小接觸結(jié)構(gòu)與字線連接處的接觸電阻，保證兩者連接的穩(wěn)定性，提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic random access memory，簡稱DRAM)是一種高速地、隨機(jī)地寫入和讀取數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，被廣泛地應(yīng)用到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備或裝置中。

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器包括多個(gè)重復(fù)的存儲(chǔ)單元，每個(gè)存儲(chǔ)單元通常包括電容器和晶體管，晶體管的柵極與字線(Word line，簡稱為WL)相連、漏極與位線相連、源極與電容器相連。字線上的電壓信號(hào)能夠控制晶體管的打開或關(guān)閉，進(jìn)而通過位線讀取存儲(chǔ)在電容器中的數(shù)據(jù)信息，或者通過位線將數(shù)據(jù)信息寫入到電容器中進(jìn)行存儲(chǔ)。字線通過位于存儲(chǔ)單元的外圍區(qū)的接觸結(jié)構(gòu)(Local interconnect contact，簡稱為LICON)與字線驅(qū)動(dòng)器(Wordline driver)連接，從而便于字線驅(qū)動(dòng)器向字線中輸入電壓信號(hào)。

然而，隨著DRAM器件特征尺寸不斷微縮，相鄰字線之間的間距減小，導(dǎo)致接觸結(jié)構(gòu)的設(shè)置難度和接觸電阻增加，并且接觸結(jié)構(gòu)處容易發(fā)生斷路和短路的問題，影響半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)性能。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決背景技術(shù)中提到的至少一個(gè)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，能夠減小接觸結(jié)構(gòu)的設(shè)置難度，減小接觸結(jié)構(gòu)與字線連接處的接觸電阻，保證兩者連接的穩(wěn)定性，提升半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，第一方面，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供基底，基底具有相鄰設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域。

在基底中第一區(qū)域和第二區(qū)域中均形成多個(gè)溝槽，多個(gè)溝槽沿第一方向間隔排布。

在溝槽中形成字線，其中，第一區(qū)域的字線的特征尺寸不同于第二區(qū)域的字線的特征尺寸。

在特征尺寸較大的字線上形成接觸結(jié)構(gòu)。

本發(fā)明提供的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，通過在基底中形成多個(gè)相互獨(dú)立的溝槽，在溝槽形成過程中，基于第一區(qū)域的結(jié)構(gòu)密度不同于第二區(qū)域中的結(jié)構(gòu)密度，因此形成的第一區(qū)域中溝槽的特征尺寸不同于第二區(qū)域中的溝槽的特征尺寸，從而在溝槽中形成字線時(shí)，可以保證第一區(qū)域的字線的特征尺寸不同于第二區(qū)域中的字線的特征尺寸。并將接觸結(jié)構(gòu)設(shè)置在特征尺寸較大的字線上，從而減小在字線上設(shè)置接觸結(jié)構(gòu)的難度，同時(shí)增加了字線與接觸結(jié)構(gòu)的接觸面積，提高兩者連接穩(wěn)定性，減小兩者連接處的接觸電阻，以保證接觸結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定連接字線與字線驅(qū)動(dòng)器，接觸結(jié)構(gòu)所在的區(qū)域中的相鄰字線間距較大，從而可以適當(dāng)增大接觸結(jié)構(gòu)的寬度，同時(shí)可以避免接觸結(jié)構(gòu)與相鄰字線的短路，以提高兩者之間信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性，從而保證半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

在上述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法中，可選的是，在基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域中均形成多個(gè)溝槽，多個(gè)溝槽沿第一方向間隔排布的步驟，包括：

在基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域上均形成溝槽掩膜層，溝槽掩膜層具有第一溝槽掩膜圖案和第二溝槽掩膜圖案，第一溝槽掩膜圖案和第二溝槽掩膜圖案沿第一方向交替間隔排布。

利用第一溝槽掩膜圖案和第二溝槽掩膜圖案刻蝕基底的第一區(qū)域和第二區(qū)域，以在第一區(qū)域和第二區(qū)域內(nèi)均形成第一溝槽和第二溝槽。

其中，刻蝕基底的第一區(qū)域的刻蝕速率大于刻蝕基底的第二區(qū)域的刻蝕速率。